[发明专利]一种静电释放保护电路及包括该电路的显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种静电释放保护电路及包括该电路的显示装置。

背景技术

ESD(Electro-Static Discharge，静电释放)保护电路是TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶面板)以及AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)面板上的重要组成部分，它可以使显示器件免遭在生产、运输、工作过程中的静电伤害。

如图1所示的一种现有ESD保护电路，由两个二极管连接的P沟道增强型TFT14和TFT15组成。TFT14的栅极与信号线13相连、源极与信号线线13相连、漏极与高电平线11相连；TFT15的栅极与低电平线12相连、源极与低电平线12相连、漏极与信号线13相连。在正常工作时，信号线11上的电平在高电平线11上的电平和低电平线12上的电平之间，此时信号线13不会有正向电流向高电平线11和低电平线12释放，只有极微弱的反向漏电流向高电平线11和低电平线12释放。在发生ESD时，当信号线线11上有正电荷积累时，信号线13上的电位高于高电平线11上的电位，TFT14反向导通，将信号线13上的正电荷释放到高电平线11上；当信号线13上有负电荷积累时，信号线13上的电平低于低电平线12上的电平，TFT15反向导通，将信号线13上的负电荷释放到低电平线12上，以保证显示装置内部阵列不受静电伤害。

而当前正在兴起一种氧化物半导体(Oxide TFT)，是一种耗尽型的电子器件。如果将Oxide TFT用于图1所示的ESD保护电路结构，则会存在严重的漏电问题。由于对于一个耗尽型的TFT来说，当其栅源极电压Vgs＝0V时，TFT是已经导通的。也就是说，无论TFT漏源极两端电压为正还是负，TFT的漏源极都是导通的。正因为如此，假如采用现有的ESD保护电路结构设计面板，那么在面板正常工作时，数据(data)线和栅极(gate)线将向VGH线和VGL线漏走大量电流，以至于使面板内部不能正常工作，也可能使外部驱动电路受到损坏。

发明内容

本发明提供了一种静电释放(ESD)保护电路，可使得新兴起的Oxide TFT能够适用于TFT LCD和AMOLED面板中，提供静电释放保护。本发明提供的电路包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为耗尽型薄膜晶体管；

第一薄膜晶体管的栅极与第二电平线连接，漏极与第一电平线连接，源极与信号线连接；

第二薄膜晶体管的栅极与第一电平线连接，漏极与第二电平线连接，源极与信号线连接。

本发明还提供了一种显示装置，该装置包括上述静电释放保护电路。

本发明提供的静电释放电路，当信号线上无电荷或只有正常的信号电荷时，电路中的两个薄膜晶体管处于关断或者微导通的状态，信号线上的信号正常进入阵列区的像素单元中。而当信号线上出现静电荷时，根据静电荷的极性，由相应的一条电平线控制，使得两个薄膜晶体管中的一个导通，将电荷释放到其中的一条电平线上，以消除产生的静电荷。

附图说明

图1为现有的静电保护电路结构示意图；

图2为本发明的实施例静电释放保护电路结构示意图；

图3为本发明的具体实施例静电释放保护电路结构示意图；

图4为在图1与图3所示的电路中都采用耗尽型薄膜晶体管的漏电流示意图。

具体实施方式

为了将新兴起的Oxide TFT用于静电保护，本发明结合耗尽型TFT的特点，提供了相应的静电保护电路。下面结合附图对本发明的实施例进行说明。

如图2所示，本实施例中的电路包括：第一电平线21、第二电平线22、信号线23、第一薄膜晶体管24和第二薄膜晶体管25。

第一薄膜晶体管24的栅极与第二电平线22连接，漏极与第一电平线21连接，源极与信号线23连接；第二薄膜晶体管25的栅极与第一电平线21连接，漏极与第二电平线22连接，源极与信号线23连接。根据薄膜晶体管的结构特点，其源极和漏极的结构完全相同，因此在连接薄膜晶体管的漏极和源极时，可将源漏极互换。

其中，第一薄膜晶体管24和第二薄膜晶体管25都为耗尽型薄膜晶体管。

对于N沟道耗尽型薄膜晶体管，当栅源极电压等于0时，仍导通，直至Vgs小于N沟道耗尽型薄膜晶体管的阈值Vth1时，则N沟道耗尽型薄膜晶体管关断。