[发明专利]基于低温水热法实现大长径比ZnO纳米线阵列膜的多次外延生长方法

权利要求书

1.一种基于低温水热法实现大长径比ZnO纳米线阵列膜的多次外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在基片上进行ZnO纳米籽晶层的溅射沉积；

2)以ZnO纳米籽晶层作为引导层，利用水热法实现ZnO纳米线垂直取向阵列的生长；

3)清洗试样，在ZnO纳米线阵列单次生长试样上继续应用水热法进行二次外延生长；

4)重复步骤3)，实现多次外延生长。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)的工艺参数为：真空度6E^-4Pa，氧气流量：5sccm，氩气流量：10sccm，射频功率：120W，溅射气压：1.0Pa，基片加热温度：250℃，溅射时间：30min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2)为，将二水合醋酸锌溶液和六次甲基四铵溶液按体积比1∶1形成混合溶液，将籽晶底片悬浮生长液中，80℃恒温生长3小时后，清洗烘干保存。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基片为硅基片、石英基片或玻璃基片。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中利用掺杂生长实现纳米线异质结阵列膜的生长。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2)和3)中的生长时间为3小时。