[发明专利]用于驱动开关晶体管的系统和方法

权利要求书

1.一种驱动开关晶体管的方法，所述方法包括：

激活所述开关晶体管，激活包括：

      在第一持续时间内以第一充电率对所述开关晶体管的控制节点进行充电；

      在以所述第一充电率对所述开关晶体管的控制节点进行充电之后，以第二充电率对所述开关晶体管的控制节点进行充电，直到所述开关晶体管的控制节点达到目标信号电平为止，其中所述第二充电率小于所述第一充电率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中以第一充电率对所述开关晶体管的控制节点进行充电在所述开关晶体管的米勒平坦区时段期间进行。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一持续时间是预定持续时间。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：对所述开关晶体管进行去激活，去激活包括对所述开关晶体管的控制节点进行放电。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

测量所述开关晶体管的控制节点处的电压；以及

基于所述测量来确定所述控制节点是否已达到所述目标信号电平。

6.根据权利要求5所述的方法，其中

测量所述开关晶体管的控制节点处的电压包括将所述开关晶体管的控制节点处的电压转换为第一电流；以及

确定所述控制节点是否已达到所述目标信号电平包括将所述第一电流与参考电流进行比较。

7.根据权利要求1所述的方法，其中

以第一充电率对所述开关晶体管的控制节点进行充电包括利用第一充电电流来对所述控制节点进行充电；以及

以第二充电率对所述开关晶体管的控制节点进行充电包括利用第二充电电流来对所述控制节点进行充电，所述第二充电电流小于所述第一充电电流。

8.根据权利要求1所述的方法，其中激活所述开关晶体管包括激活高侧驱动器的PMOS晶体管。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：利用脉冲宽度调制信号来驱动所述开关晶体管。

10.根据权利要求9所述的方法，其中利用脉冲宽度调制信号来驱动所述开关晶体管包括：当所述脉冲宽度调制信号的占空比是100%或0%时，周期性地激活所述开关晶体管。

11.一种集成电路，包括：

开关晶体管；

可变速率充电电路，被配置为与所述开关晶体管的控制节点耦合，所述可变速率充电电路被配置为通过以下操作激活所述开关晶体管：首先以第一充电率对所述开关晶体管的控制节点进行充电，然后以第二充电率对所述开关晶体管的控制节点进行充电，所述第二充电率小于所述第一充电率；以及

控制器电路，与所述可变速率充电电路耦合并被配置为与所述开关晶体管的控制节点耦合，所述控制器电路被配置为：

      测量所述开关晶体管的控制节点处的信号，

      确定所述开关晶体管的控制节点处的信号是否已达到预定信号电平，以及

      当所述开关晶体管的控制节点已达到所述预定信号电平时，发信号通知所述可变速率充电电路以停止对所述开关晶体管的控制节点进行充电。

12.根据权利要求11所述的集成电路，还包括：放电电路，被配置为对所述开关晶体管的控制节点进行放电。

13.根据权利要求11所述的集成电路，其中所述可变速率充电电路包括：可变电流源，被配置为在以所述第一充电率对所述控制节点进行充电时输出第一电流并且在以所述第二充电率对所述控制节点进行充电时输出第二电流，其中所述第一电流大于所述第二电流。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其中所述可变电流源包括多个电流源。

15.根据权利要求13所述的集成电路，还其中所述可变速率充电电路包括与所述可变电流源耦合的定时器电路，其中定时器使所述可变速率充电电路在预定时间段内输出所述第一电流。

16.根据权利要求11所述的集成电路，其中开关驱动器被配置为驱动高侧PMOS开关晶体管，并且其中所述开关晶体管的控制节点包括PMOS开关晶体管的栅极。