[发明专利]半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

第一主面；

与所述第一主面相对的第二主面；

连接所述第一和第二主面的侧面；和

至少部分地覆盖所述侧面的防EBO复合物。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述第二主面至少部分地用防EBO复合物覆盖。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述防EBO复合物能够减少所述侧面的表面能量。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述防EBO复合物包括疏水性质。

5.一种半导体芯片，包括：

第一主面；

与所述第一主面相对的第二主面；

连接所述第一和第二主面的侧面；

至少部分地覆盖所述侧面的表面能量减少复合物。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中所述第二主面至少部分地用所述复合物覆盖。

7.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中所述表面能量减少复合物包括疏水性质。

8.一种电子器件，包括：

载体；和

包括第一主面、与所述第一主面相对的第二主面和连接所述第一和第二主面的侧面的半导体芯片；

其中所述半导体芯片用其第一主面被附到载体上；和

其中所述半导体芯片的所述侧面至少部分地用复合物覆盖，所述复合物包括防EBO复合物和/或表面能量减少复合物。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述载体的上表面也至少部分地用所述复合物覆盖。

10.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述第二主面至少部分地用所述复合物覆盖。

11.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述复合物包括能够减少侧面的表面能量的防EBO复合物。

12.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述复合物包括疏水性质。

13.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：

提供半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面、与所述第一主面相对的第二主面和连接所述第一和第二主面的侧面；和

至少部分地用复合物覆盖所述侧面，所述复合物包括防EBO复合物和/或表面能量减少复合物。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

至少部分地用所述复合物覆盖所述第二主面。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述复合物包括能够减少侧面的表面能量的防EBO复合物。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述复合物包括疏水性质。

17.根据权利要求13所述的方法，

其中提供半导体芯片包括提供多个半导体芯片，

其中该方法还包括将所述半导体芯片附到承载物上；和

其中至少部分地覆盖所述侧面包括将具有半导体芯片的承载物浸入由所述复合物组成的液体中。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括在浸渍之后在水中净化所述承载物。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括在净化之后干燥所述承载物。

20.一种用于制造电子器件的方法，该方法包括：

提供载体；

提供包括第一主面、与所述第一主面相对的第二主面和连接所述第一和第二主面的侧面的半导体芯片；

至少部分地用复合物覆盖所述侧面，所述复合物包括防EBO复合物和/或表面能量减少复合物；和

将所述半导体芯片的所述第一面附到所述载体上。

21.根据权利要求20所述的方法，还包括至少用所述复合物覆盖所述半导体芯片的所述第二主面。

22.根据权利要求20所述的方法，还包括至少部分地用防EBO复合物或表面能量减少复合物覆盖所述载体。

23.根据权利要求20所述的方法，其中所述复合物包括能够减少侧面的表面能量的防EBO复合物。

24.根据权利要求20所述的方法，其中所述复合物包括疏水性质。