[发明专利]一种LTCC叠层微带铁氧体环行器无效
申请号: | 201210009621.7 | 申请日: | 2012-01-13 |
公开(公告)号: | CN102544663A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 彭龙;朱兴华 | 申请(专利权)人: | 彭龙 |
主分类号: | H01P1/387 | 分类号: | H01P1/387 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610225 四川省成都市双*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ltcc 微带 铁氧体 环行器 | ||
技术领域
本发明属于微波技术领域,涉及一种LTCC叠层微带铁氧体环行器。
背景技术
铁氧体环行器是一种多端口的微波无源器件,电磁波在其内按照一定的环行方向传输,反方向则隔离,广泛应用于雷达、电子对抗、遥测遥控、微波测量和微波通信等领域。随着微波系统向小型化和高集成度方向发展,微带铁氧体环行器由于具有小型化、轻量化、生产成本低、生产周期短、可靠性高及性能好等优点成为当前微波环行器的研究热点。目前,微带铁氧体环行器主要为嵌入式结构和全磁基片式结构。嵌入式微带铁氧体环行器采用陶瓷类电介质材料作为基片,在基片中开设圆孔,并在该孔内嵌入与孔径和厚度相同的微波铁氧体基片;环行器的中心结位于铁氧体基片上,而与之耦合和匹配的微带线则主要位于陶瓷基片上。这类环行器具有明显的结构缺点,难以与其它微波器件进行集成。在全磁基片式结构当中,环行器的中心结和微带线都位于同一微波铁氧体基片上,在阻抗匹配的设计上缺乏灵活性。
近年来,LTCC技术的迅速发展为开发新型微波无源器件提供了强大动力。LTCC是一种先进的多层陶瓷技术,能够实现高密度多层布线和无源元件的基片集成,在设计上具有很大的灵活性。采用LTCC技术有望突破现有微带铁氧体环行器的结构缺点和设计缺点,获得具有三维结构的叠层式微带铁氧体环行器,实现环行器与LTCC技术和组件的兼容,为基于LTCC技术的高频化系统级封装(SIP)提供良好基础。
发明内容
本发明的目的是在确保微带铁氧体环行器的性能和可靠性的基础上,提供一种基于LTCC技术的叠层微带铁氧体环行器,突破现有微带铁氧体环行器的结构缺点和设计缺点,实现与LTCC技术和组件的兼容。
本发明的目的通过下述技术方案实现:一种LTCC叠层微带铁氧体环行器,如图1至图4所示,包括金属接地层1、LTCC铁氧体层2、第一LTCC陶瓷介质层3、第二LTCC陶瓷介质层4、中心结5、第一微带电路6、金属填孔7、第二微带电路8。第一微带电路6包括三个互成120°夹角的矩形微带分支,与圆形中心结5都位于LTCC铁氧体层2的上表面,并形成连接。第二微带电路8包括三个矩形微带分支,分布于第一LTCC陶瓷介质层3的上表面。金属填孔7穿过第一LTCC陶瓷介质层3将位于不同基片材料上的第一微带电路(6)和第二微带电路(8)连接起来,形成三维的叠层结构。第二微带电路8的三个矩形微带分支可以分别与三个外接端口连接进行馈电。
上述方案中,所述金属接地层1、中心结5、第一微带电路6、金属填孔7及第二微带电路8采用金(Au)、银(Ag)或银钯(AgPd)合金等具有高电导率的金属材料,各部分的尺寸由该环行器的性能及尺寸要求决定。
上述方案中,所述LTCC铁氧体层2采用自偏置微波铁氧体材料;第一LTCC陶瓷介质层3和第二LTCC陶瓷介质层4采用三氧化二铝陶瓷材料,其相对介电常数范围在2~20之间。
上述方案中,所述LTCC铁氧体层2和第一LTCC陶瓷介质层3的性能由环行器的性能及尺寸要求决定。
本发明与现有微带铁氧体环行器相比,采用了LTCC铁氧体和LTCC陶瓷作为基片材料,与现有LTCC工艺技术兼容;改变LTCC铁氧体和LTCC陶瓷材料的电磁性能以及微带尺寸可以方便地对器件特性进行调节;由于采用了三维结构设计,微带电路分布在不同类型的基片材料上,在设计上具有更大的灵活性;适合与其它LTCC微波器件进行一体化集成,有助于LTCC组件和模块的开发。
附图说明
图1是本发明所述LTCC叠层微带铁氧体环行器的结构示意图。
图2是本发明所述LTCC叠层微带铁氧体环行器的前视图。
图3是本发明所述LTCC叠层微带铁氧体环行器的左视图。
图4是本发明所述LTCC叠层微带铁氧体环行器的俯视图。
图5是本发明所述LTCC叠层微带铁氧体环行器的幅频特性仿真结果。
图6是本发明所述LTCC叠层微带铁氧体环行器的驻波比与工作频率之间的关系。
具体实施方式
下面结合附图和一种实施方式,对本发明作进一步的详细说明,不能认定本发明的具体实施方式仅限于此。
如图5和图6所示,本发明的实施方式提供LTCC叠层微带铁氧体环行器的工作中心频率为3.0GHz,带宽达到200MHz以上,中心频率处的反射和隔离度优于35dB,插入损耗低于0.5dB,驻波比小于1.1。该环行器采用目前已成熟的LTCC工艺技术进行制作。
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