[发明专利]一种低压本征NMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210009713.5 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050529A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;石晶;钱文生;胡君;段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 nmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种低压本征NMOS器件，其特征是，包括：硅衬底上部形成有注入区，注入区旁侧形成有浅沟槽隔离，注入区上部形成有N型源漏区，注入区和硅衬底上方形成有栅氧化层，栅氧化层上方形成有栅多晶硅层，栅氧化层和栅多晶硅层的两侧形成有隔离侧墙，N型源漏区和栅多晶硅层通过接触孔引出连接金属连线。
2.如权利要求1所述的本征NMOS器件，其特征是：所述N型源漏区与栅氧化层、栅多晶硅层不存在重叠区域。
3.如权利要求2所述的本征NMOS器件，其特征是：所述栅氧化层厚度为2纳米～4纳米。
4.一种低压本征NMOS器件的制造方法，其特征是，包括：
(1)在硅衬底上制作浅沟槽隔离，淀积一层二氧化硅，在二氧化硅上方生长一层多晶硅，刻蚀后形成栅多晶硅层；
(2)利用高压输入输出PMOS管LDD杂质注入，同时将这道杂质注入到低压本征NMOS器件预设计的源漏区域形成注入区；
(3)刻蚀去除部分二氧化硅，形成栅氧化层，在栅氧化层和栅多晶硅层两侧制作隔离侧墙；
(4)热退火，使注入区在横向和纵向推进；
(5)在注入区进行源漏注入，形成N型源漏区；
(6)将N型源漏区和栅多晶硅层通过接触孔引出连接金属连线。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征是：实施步骤(1)时，采用电阻率是1000ohm.com的硅衬底。
6.如权利要求5述的制造方法，其特征是：实施步骤(1)时，淀积二氧化硅厚度为2纳米～4纳米。
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