[发明专利]一种籽晶泡生炉

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体泡生炉，具体的说一种防止籽晶被污染及方便籽晶更换的籽晶泡生炉。

背景技术

晶体生长方法采用的是泡生法，多用于同成分熔化的化合物及含某种过量组分的体系。泡生法与提拉法的主要不同之处是泡生法在等径生长时不再提拉，其结晶动力由外部温场不断降低温度来形成。泡生法的主要优点是生长的晶体与坩埚无直接接触，能显著减小晶体的应力，因此生长的晶体完整性较高，位错密度非常低。其缺点是一方面在生长过程中籽晶容易被挥发物污染，导致籽晶污染而影响晶体的性能。另一方面在下种过程中，籽晶很容易被融化，由于炉体结构和晶体生长因素的原因，导致更换籽晶非常不方便。

发明内容

本发明为了克服现有技术的不足，提供了一种防止籽晶被污染及方便籽晶更换的籽晶泡生炉。

为了实现上述目的，本发明设计了一种籽晶泡生炉，包括炉体，坩埚，其特征在于：还包括位于炉体上方的真空腔，真空腔与炉体的内腔相连通，并在连接处设有第一阀门，真空腔的进口设有第二阀门；所述炉体的内腔内设有支撑坩埚的支架，且在炉体内腔的侧壁上设有发热体；所述籽晶泡生炉还包括一根用于插入炉体内腔的籽晶杆。

所述的炉体内腔内还设有的保护罩，保护罩位于第二阀门的下方，并在保护罩底部设有阀口。

本发明同现有技术相比，能够有效防止籽晶污染，以及方便更换的籽晶的优点。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

参见图1，1为炉体；2为真空腔；3为内腔；4、5为阀门；6为坩埚；7为支架、8为发热体；9为籽晶杆；10为保护罩；11为阀口；12为籽晶。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。

如图1所示，本发明包括炉体1，坩埚6，还包括位于炉体1上方的真空腔2，真空腔2与炉体1的内腔3相连通，并在连接处设有第一阀门4，真空腔的进口设有第二阀门5。炉体1的内腔3内设有支撑坩埚6的支架7，且在炉体内腔3的侧壁上设有发热体8。炉体内腔3内还设有的保护罩10，保护罩10位于第二阀门5的下方，并在保护罩10底部设有阀口11。籽晶泡生炉还包括一根用于插入炉体1内腔的籽晶杆9。

具体工作过程如下：

步骤一：籽晶生长过程，具体步骤如下。

A、对炉体1的内腔抽真空，并通过加热体8对坩埚内6内的原料升温化料。

B、当原料完全熔化后，开始降低籽晶杆9的高度，当籽晶杆9通过阀门5进入到保护罩10后，保护罩10随籽晶杆9一起下降。

C、当籽晶杆9下降到一定位置时，保护罩10停止下降，并打开保护罩10底部的阀口11，籽晶杆9继续下降并接触坩埚6内的原料，开始生长晶体。

步骤二：籽晶更换过程，具体步骤如下。

A、当籽晶被完全融化，缓慢提拉籽晶杆9并随保护罩10一起上升，当籽晶杆9上升到一定位置时，保护罩10停止上升，籽晶杆9进入到真空腔2后立即关闭阀门5。

B、打开阀门4，提拉籽晶,9直至拉出炉体，随后关闭阀门4，对籽晶进行更换。

本发明同现有技术相比，能够有效防止籽晶污染，以及方便更换的籽晶的优点。