[发明专利]有机发光显示器蒸镀方法

权利要求书

1.一种有机发光半导体蒸镀方法，包括如下几个步骤：

把蒸镀用掩模板的ITO面和ITO半导体玻璃面结合，把掩模板的蒸镀面对应有机蒸镀源；

蒸发有机材料，使有机材料通过掩模板上的开口，附着到和ITO半导体玻璃面上；

分离掩模板和ITO半导体玻璃，完成蒸镀；

其中，所述掩模板形状为四边形的金属板，所述掩模板具有ITO面层和蒸镀面层两层结构，所述掩模板上具有贯通ITO面层和蒸镀面层的开口，ITO面层的开口尺寸小于蒸镀面层的开口尺寸，沿掩模板的厚度方向的横向剖面上，开口形状为梯形。

2.根据权利要求1所述的有机发光半导体蒸镀方法，其特征在于所述ITO面层的开口横向尺寸为5～70μm；开口尺寸精度为±5μm；所述的ITO面层的开口具有0～10°的锥角。

3.根据权利要求1所述的有机发光半导体蒸镀方法，其特征在于所述蒸镀面层的厚度大于或等于ITO面层的厚度；所述ITO面层的厚度t₁为5～20μm；蒸镀面层的厚度t₂为20～30μm。

4.根据权利要求3所述的有机发光半导体蒸镀方法，其特征在于所述蒸镀面层的开口尺寸至少为ITO面层开口尺寸的两倍；所述沿掩模板的厚度方向的横向剖面上，ITO面层开口形状为等腰梯形。

5.根据权利要求1所述的有机发光半导体蒸镀方法，其特征在于所述掩模板为矩形，厚度为25～200μm；ITO面和蒸镀面上的开口长尺寸边的方向为纵向，开口小尺寸边的方向为横向，ITO面开口横向尺寸小于蒸镀面开口的横向尺寸。

6.根据权利要求1所述的有机发光半导体蒸镀方法，其特征在于掩模板厚度为25～150μm；蒸镀面层的开口侧壁为光滑竖直壁，蒸镀面层具有锥角，锥度在1～50°。

7.根据权利要求1所述的有机发光半导体蒸镀方法，其特征在于掩模板材料为不锈钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金、因瓦合金中的任意一种金属板。

8.根据权利要求2所述的有机发光半导体蒸镀方法，其特征在于所述掩模板使用时，ITO面与蒸镀基板ITO玻璃紧密贴紧，有机材料通过ITO面开口蒸镀到ITO玻璃基板上。

9.根据权利要求1所述的有机发光半导体蒸镀方法，其特征在于所述掩模板的均匀性小于5%；表面光亮度为一级光亮。

10.根据权利要求1所述的有机发光半导体蒸镀方法，其特征在于所述开口剖面梯形的腰的锥度为5～10°；ITO面的开口尺寸小于蒸镀面的开口尺寸； ITO面的开口具有锥角；开口尺寸从蒸镀面往ITO面递减。