[发明专利]有机电致发光二极管的蒸镀方法

权利要求书

1.一种有机电致发光二极管的蒸镀方法，包括如下几个步骤：

（1）把掩模板的ITO面和ITO半导体玻璃面结合，把掩模板的蒸镀面对应有机蒸镀源；

（2）蒸发有机材料，使有机材料通过掩模板上的通孔，附着到和ITO半导体玻璃面上；

（3）分离掩模板和ITO半导体玻璃，完成蒸镀；

其中，蒸镀用掩模板，形状为四边形金属板，包括与铟锡氧化物（ITO）接触的ITO面和蒸镀面两个面，所述掩模板上具有贯通ITO面和蒸镀面的通孔，通孔在ITO面上的开口尺寸小于在蒸镀面上的开口尺寸，ITO面和蒸镀面的通孔开口均具有倒锥角。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的蒸镀方法，其特征在于所述ITO面和蒸镀面上的通孔开口通过若干个实桥，将开口连接起来，通孔在掩模板上呈规则网格状分布；所述掩模板为矩形，厚度为5～200μm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的蒸镀方法，其特征在于ITO面的通孔开口倒锥角的角度小于蒸镀面的通孔开口倒锥角的角度。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的蒸镀方法，其特征在于掩模板材料为不锈钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金、因瓦合金中的任意一种金属板。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的蒸镀方法，其特征在于掩模板厚度为10～50μm；将其在掩模板的厚度方向上垂直剖开，其剖面图为葫芦状。

6.根据权利要求２所述的有机电致发光二极管的蒸镀方法，其特征在于ITO面和蒸镀面上的开口长尺寸边的方向为纵向，开口小尺寸边的方向为横向；ITO面开口横向尺寸小于蒸镀面网格开口的横向尺寸。

7.根据权利要求3所述的有机电致发光二极管的蒸镀方法，其特征在于ITO面通孔开口横向上的尺寸精度在±5μm；ITO面的倒锥角开口的垂直深度在5～25μm。

8.根据权利要求3所述的有机电致发光二极管的蒸镀方法，其特征在于蒸镀面大尺寸网格状开口侧壁为光滑锥壁，锥度在30～50°。

9.根据权利要求3所述的有机电致发光二极管的蒸镀方法，其特征在于ITO面的倒锥角开口的垂直深度小于等于蒸镀面锥角开口的垂直深度。