[发明专利]掺杂二氧化铈的铌锑-锆钛酸铅压电陶瓷无效
申请号: | 201210010847.9 | 申请日: | 2012-01-14 |
公开(公告)号: | CN102584228A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 孙清池;吴涛;马卫兵;刘志华;李建平 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C04B35/49 | 分类号: | C04B35/49;C04B35/622 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 曹玉平 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 氧化 锆钛酸铅 压电 陶瓷 | ||
技术领域
本发明是关于以成分为特征的陶瓷组合物,尤其涉及一种外加二氧化铈(CeO2)的铁电铌锑-锆钛酸铅压电陶瓷材料。
背景技术
压电陶瓷是一种能将机械能和电能相互转化的功能陶瓷,属于无机非金属材料范畴。压电陶瓷材料由于具有优异的介电性和压电性能,且制备工艺简单、成本低,因此在信息、航天、激光和生物等高新技术领域及工业生产中都得到了广泛应用。
纯的PZT(锆钛酸铅)陶瓷高温烧结的时候由于PbO的熔点较低,饱和蒸汽压高,易产生铅的挥发,组分不易控制性能的稳定性和重复性较差,这就限制了PZT的应用。二十世纪六十年代,出现了掺杂PZT压电陶瓷,不仅降低了合成温度减少了铅的挥发,而且某些性能还得到了改善。但是尽管这样二元的PZT已经远远不能满足社会的需求,这就促进了对新型压电材料研究,人们广泛研究了三、四元系压电陶瓷,如PMN-PZT、PMN-PZT-PT、PSN-PZN-PZT、PLN-PMN-PZT等,这些新型的压电陶瓷具有较高的发展前景。
在实际元器件中,不同的应用对压电陶瓷材料的性能参数要求不同,这就迫使人们对压电陶瓷材料进行相应的性能改进。目前,国内外主要采用两种方法:一种是掺杂改性,即掺杂某种杂质离子,通过对A位或B位离子进行少量置换,调整材料的性能参数,以满足压电元器件的要求;另一种是改进制备工艺,如确定最佳的煅烧温度、排胶制度、极化条件等,使得压电陶瓷某些性能得到改善,以满足压电元器件的要求。
铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷是一种压电性能优良的陶瓷材料,它具有较高的压电系数和机电耦合系数,频率稳定性和时间稳定性很好,能应用于制作滤波器,振子水声换能器,大功率驱动器,车辆番号自动读出装置、滤波器振子、高温检测高温探伤测厚等。但是不加改性掺杂物的铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷机电耦合系数较小,本发明选用铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷为对象进行研究,并对本系统进行氧化铈掺杂改性,获得较为理想的压电陶瓷材料。铈(Ce)离子是典型的变价离子,多以CeO2的形式引入。从离子半径大小考虑,变价的Ce离子半径介于Zr、Ti离子半径与Pb离子的半径之间,因此Ce既可以取代A位的Pb,也可以取代B位的Zr、Ti,适量的掺杂既可起到“软性”掺杂特点,能有效地提高机电耦合系数及压电系数;又可起到“硬性”掺杂特点,即可以提高材料的机械品质因数,降低材料的介电损耗,提高压电陶瓷的温度稳定性。
发明内容
本发明采用传统的固相合成的制备方法,提供一种以铌锑-锆钛酸铅(PSN-PZT)为基体、掺杂二氧化铈、取得综合电学性能更好的压电陶瓷。
本发明通过以下技术方案予以实现:
掺杂二氧化铈的铌锑-锆钛酸铅压电陶瓷,其原料组分及其质量百分比含量为:以Pb0.93Ba0.07(Nb1/2Sb1/2)0.06(Zr0.52Ti0.48)0.94O3为基石出,外加0.1~5.0wt.%CeO2。
所述压电陶瓷是单一的钙钛矿结构。
所述原料为Pb3O4、BaCO3、ZrO2、TiO2、Nb2O5、Sb2O3和CeO2。
所述压电陶瓷采用传统的固相合成的制备方法,于1220℃~1280℃烧结,保温2h。
本发明的有益效果是,提供了一种综合电学性能良好的掺杂二氧化铈的铌锑-锆钛酸铅压电陶瓷,其成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好、成品率高。
附图说明
图1:本发明在1260℃、1280℃烧结保温2h,CeO2掺杂量对PSN-PZT压电系数d33的影响。
图2:本发明在1260℃、1280℃烧结保温2h,CeO2掺杂量对PSN-PZT机电耦合系数Kp的影响。
图3:本发明在1260℃、1280℃烧结保温2h,CeO2掺杂量对PSN-PZT介电常数的影响。
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