[发明专利]一种高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210011155.6 申请日: 2012-01-13
公开(公告)号: CN102584216A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 石吉伟;伍隽;庞新锋 申请(专利权)人: 深圳顺络电子股份有限公司
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/622
代理公司: 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 代理人: 张皋翔
地址: 518110 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 介电常数 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,包括钛酸钡和助烧剂,其特征在于,所述钛酸钡的重量百分比如下:

BaTiO3        80.0~95.0%;

所述助烧剂的组分及其重量百分比如下:

Bi2O3        0.1~10.0%

CuO          0.1~5.0%

低熔点玻璃   0.1~8.0%。

2.根据权利要求1所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,其组分还包括重量百分比为0.1~1.0%的MnCO3

3.根据权利要求2所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述MnCO3为化学纯原料,含Mn量不低于44.0%。

4.根据权利要求3所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述BaTiO3为电子级原料,纯度至少为99.0%,粒度D50≤1.0μm。

5.根据权利要求4所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述Bi2O3为电子级原料,纯度至少为99.5%,粒度D50≤5.0μm。

6.根据权利要求5所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述CuO为分析纯原料,纯度至少为99.0%,粒度D50≤3.0μm。

7.根据权利要求6所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述低熔点玻璃的熔点低于800℃,粒度D50≤2.5μm。

8.一种高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:

1)球磨混合

将BaTiO3、Bi2O3、CuO、低熔点玻璃和MnCO3按照如下重量百分比进行混合:

BaTiO3        80.0~95.0%;

Bi2O3         0.1~10.0%

CuO           0.1~5.0%

低熔点玻璃    0.1~8.0%。

MnCO3         0.1~1.0%

加去离子水球磨,去离子水重量∶粉体混合物重量=(1~1.5)∶1,制得陶瓷材料混合物;

2)将球磨后的陶瓷材料混合物进行干燥

在100~200℃温度下,将步骤1)中制得的陶瓷材料混合物干燥24~48小时;

3)筛分

将干燥后的陶瓷材料混合物,用50~200目的筛网进行分离,得到高介电常数低温共烧陶瓷材料的成品粉体。

9.根据权利要求8所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法,其特征在于,

所述BaTiO3为电子级原料,纯度至少为99.0%,粒度D50≤1.0μm;

所述Bi2O3为电子级原料,纯度至少为99.5%,粒度D50≤5.0μm;

所述CuO为分析纯原料,纯度至少为99.0%,粒度D50≤3.0μm;

所述低熔点玻璃的熔点低于800℃,粒度D50≤2.5μm;

所述MnCO3为化学纯原料,含Mn量不低于44.0%。

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