[发明专利]一种高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 201210011155.6 | 申请日: | 2012-01-13 |
公开(公告)号: | CN102584216A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 石吉伟;伍隽;庞新锋 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 张皋翔 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介电常数 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,包括钛酸钡和助烧剂,其特征在于,所述钛酸钡的重量百分比如下:
BaTiO3 80.0~95.0%;
所述助烧剂的组分及其重量百分比如下:
Bi2O3 0.1~10.0%
CuO 0.1~5.0%
低熔点玻璃 0.1~8.0%。
2.根据权利要求1所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,其组分还包括重量百分比为0.1~1.0%的MnCO3。
3.根据权利要求2所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述MnCO3为化学纯原料,含Mn量不低于44.0%。
4.根据权利要求3所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述BaTiO3为电子级原料,纯度至少为99.0%,粒度D50≤1.0μm。
5.根据权利要求4所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述Bi2O3为电子级原料,纯度至少为99.5%,粒度D50≤5.0μm。
6.根据权利要求5所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述CuO为分析纯原料,纯度至少为99.0%,粒度D50≤3.0μm。
7.根据权利要求6所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,所述低熔点玻璃的熔点低于800℃,粒度D50≤2.5μm。
8.一种高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:
1)球磨混合
将BaTiO3、Bi2O3、CuO、低熔点玻璃和MnCO3按照如下重量百分比进行混合:
BaTiO3 80.0~95.0%;
Bi2O3 0.1~10.0%
CuO 0.1~5.0%
低熔点玻璃 0.1~8.0%。
MnCO3 0.1~1.0%
加去离子水球磨,去离子水重量∶粉体混合物重量=(1~1.5)∶1,制得陶瓷材料混合物;
2)将球磨后的陶瓷材料混合物进行干燥
在100~200℃温度下,将步骤1)中制得的陶瓷材料混合物干燥24~48小时;
3)筛分
将干燥后的陶瓷材料混合物,用50~200目的筛网进行分离,得到高介电常数低温共烧陶瓷材料的成品粉体。
9.根据权利要求8所述的高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法,其特征在于,
所述BaTiO3为电子级原料,纯度至少为99.0%,粒度D50≤1.0μm;
所述Bi2O3为电子级原料,纯度至少为99.5%,粒度D50≤5.0μm;
所述CuO为分析纯原料,纯度至少为99.0%,粒度D50≤3.0μm;
所述低熔点玻璃的熔点低于800℃,粒度D50≤2.5μm;
所述MnCO3为化学纯原料,含Mn量不低于44.0%。
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