[发明专利]位级内存控制器及控制方法无效
申请号: | 201210011196.5 | 申请日: | 2012-01-13 |
公开(公告)号: | CN103150273A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 萧博文;谢宏文 | 申请(专利权)人: | 擎泰科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F11/10 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 陈波;文琦 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内存 控制器 控制 方法 | ||
1.一种位级内存控制器,适用于管理一非挥发性内存的缺陷位,包含:
一内存总线接口控制器,用以控制一内存总线的数据通信,该内存总线位于所述非挥发性内存与所述位级内存控制器之间;
一坏行管理(BCM)单元,该坏行管理(BCM)单元取得一位级映像表,该位级映像表分别标记缺陷位,其中该BCM单元根据该位级映像表以建构一位级卷标表(BLS),该位级卷标表包含多个项目以分别记载缺陷位群;
一内部缓冲器,用以储存所述BCM单元根据所述位级卷标表所管理的数据;及
一主机总线接口控制器,用以控制一主机总线的数据通信,该主机总线位于一主机与所述位级内存控制器之间。
2.如权利要求1所述的位级内存控制器,还包含一先进先出(FIFO)控制器,其位于所述BCM单元与所述内部缓冲器之间。
3.如权利要求1所述的位级内存控制器,还包含一先进先出(FIFO)控制器,其位于所述内存总线接口控制器与所述BCM单元之间。
4.如权利要求1所述的位级内存控制器,其中所述位级卷标表的每一项目包含一开始位,记载所述相应缺陷位群的开始缺陷位的位置;及一略过位范围,记载所述相应缺陷位群的长度。
5.如权利要求1所述的位级内存控制器,其中所述位级卷标表的每一项目包含一开始位,记载所述相应缺陷位群中含有缺陷位的位集的开始位置;及一略过位范围,记载所述相应缺陷位群的位集的长度。
6.如权利要求1所述的位级内存控制器,其中所述BCM单元在读取数据时,略过所述位级卷标表所记载的缺陷位位置所储存的错误数据,因而过滤该数据,并将正确数据搬移至所述内部缓冲器。
7.如权利要求6所述的位级内存控制器,其中所述BCM单元在写入数据时,当数据的目标地址不符合所述位级卷标表时,则将所述内部缓冲器的数据搬移至所述非挥发性内存;当数据的目标地址符合所述位级卷标表时,则附加虚位以写入至所述非挥发性内存。
8.一种位级内存控制方法,适用于管理一非挥发性内存的缺陷位,包含:
取得一位级映像表,该映像表分别标记缺陷位;
根据所述位级映像表以建构一位级卷标表(BLS),该位级卷标表(BLS)包含多个项目以分别记载缺陷位群;及
根据所述位级卷标表管理数据,并将经管理的所述数据储存至一内部缓冲器。
9.如权利要求8所述的位级内存控制方法,还包含一步骤:在储存所述数据至所述内部缓冲器之前,对所述数据执行错误控制编码(ECC)。
10.如权利要求8所述的位级内存控制方法,其中所述位级卷标表的每一项目包含一开始位,记载所述相应缺陷位群的开始缺陷位的位置;及一略过位范围,记载所述相应缺陷位群的长度。
11.如权利要求8所述的位级内存控制方法,其中所述位级卷标表的每一项目包含一开始位,记载所述相应缺陷位群中含有缺陷位的位集的开始位置;及一略过位范围,记载所述相应缺陷位群的位集的长度。
12.如权利要求8所述的位级内存控制方法,在读取数据时,略过所述位级卷标表所记载的缺陷位位置所储存的错误数据,因而过滤该数据,并将正确数据搬移至所述内部缓冲器。
13.如权利要求12所述的位级内存控制方法,在写入数据时,当数据的目标地址不符合所述位级卷标表时,则将所述内部缓冲器的数据搬移至所述非挥发性内存;当数据的目标地址符合所述位级卷标表时,则附加虚位以写入至所述非挥发性内存。
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