[发明专利]一种高强度超细晶块体铜锗合金及其制备方法无效
| 申请号： | 201210011243.6 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102534293A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 龚玉兰;朱心昆;伞星源;龙燕;程莲萍;吴小香 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C1/02;C22F1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 强度 超细晶 块体 合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种高强度超细晶块体铜锗合金，其特征在于由下列组分组成：铜的质量百分比为99.89%～89.85%，锗的质量百分比为0.11%～10.15%。
2.一种权利要求1所述高强度超细晶块体铜锗合金的制备方法，其特征在于经过下列各工艺步骤：
A．将纯度为99.95%～99.99%的纯铜和纯度为99.95%～99.99%的纯锗，按铜的质量百分比为99.89%～89.85%、锗的质量百分比为0.11%～10.15%混合后进行熔炼，浇铸成铜锗合金棒材；
B．将步骤A所得铜锗合金棒材在700℃～900℃下进行真空退火1～3小时；
C、在温度为700℃～900℃、变形速率为10-4/s～102/s的条件下，对步骤B所得铜锗合金棒材进行锻造；
D、将步骤C所得铜锗合金在700℃～900℃下进行真空退火1～3小时；
E、将步骤D所得铜锗合金浸入液氮中冷却至合金自身温度达到液氮温度后取出；
F、在变形温度范围为低于-100℃并高于液氮温度、变形速率为10-4/s～102/s的条件下，再次对步骤E所得铜锗合金进行锻造，从而制得含变形孪晶的高强度超细晶块体铜锗合金，其铜的质量百分比为99.89%～89.85%，锗的质量百分比为0.11%～10.15%。
3.根据权利要求2所述的高强度超细晶块体铜锗合金的制备方法，其特征在于：所述退火为现有技术中的常规退火工艺。
4.根据权利要求2所述的高强度超细晶块体铜锗合金的制备方法，其特征在于：所述锻造为现有技术中的常规锻造工艺。
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