[发明专利]圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构无效

专利信息
申请号: 201210011301.5 申请日: 2012-01-13
公开(公告)号: CN102569232A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 宁文果;罗乐;徐高卫 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 潘振甦
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 圆片级 芯片 尺寸 封装 应力 缓冲 结构
【权利要求书】:

1.一种圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构,包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3),在应力缓冲介质上制作焊球(4)。

2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于凹槽有空心锥形和瓦楞状两种。

3.按权利要求2所述的结构,其特征在于空心锥形凹槽是每个焊球下面单独做凹槽;瓦楞状凹槽是同一排焊球下面的凹槽连通成一条线。

4.按权利要求1或2所述的结构,其特征在于所述的凹槽包括在硅芯片上对应所有焊球做凹槽或在硅芯片上对应硅芯片上最外面边缘的焊球做凹槽。

5.根据权利要求1-3所述的结构,其特征在于所述的应力缓冲介质包括PI在内的杨氏模量和小的材料。

6.根据权利要求3所述的结构,其特征在于所述的材料的杨氏模量为≤3GPa。

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