[发明专利]一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是按如下步骤进行：

(1)、以硅片为基底，将硅片依次放置在去离子水和丙酮中进行超声清洗后，随后浸入在60-100℃的食人鱼洗液中，5-20分钟后取出晾干即为样品A，在所述样品A的表面旋涂光刻胶，烘干后形成300～500纳米厚度的光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制作接触式掩模板，利用具有硅微/纳米线阵列图形的接触式掩模板对光刻胶层进行紫外曝光40s获得样品B，取下所述样品B在显影液中经4-6分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；

(2)、利用微电子镀膜设备在所述样品C的表面镀厚度为20～50纳米的金膜得到样品D；将所述样品D置于丙酮中，超声处理后去除光刻胶及光刻胶表面上的金，保留与金接触的硅片即为样品E；

(3)、将所述样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，在完成所述金催化化学刻蚀后即得硅微/纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是所述光刻胶为AZ5206，所述显影液为MIF-300。

3.根据权利要求1所述的尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是所述光刻胶为ARP-5350，所述显影液为AR3006。

4.根据权利要求1所述的尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是所述食人鱼洗液中是质量百分比浓度不低于98％的浓H₂SO₄和质量百分比浓度为40％的双氧水H₂O₂按体积比为4∶1的配比。

5.根据权利要求1所述的尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是所述刻蚀液是在1000ml的水溶液中含有4-5mol的HF和0.4-0.5mol的H₂O₂。

6.根据权利要求1所述的尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是所述步骤(1)和步骤(2)中丙酮的质量百分比浓度为：99.5％。