[发明专利]具有二次放电衰减的X射线管

权利要求书

1.一种X射线管，包括：

阴极，其配置成输出电子束；

靶，其配置成接收所述电子束并生成X射线；

磁焦斑控制单元，其设在所述阴极与所述靶之间并配置成生成电磁场以影响所述电子束，所述磁焦斑控制单元包括装入在以X射线衰减材料填充的树脂中的至少一个电磁体。

2.根据权利要求1所述的X射线管，包括：电子收集器，其设为与所述靶成面对关系，并设在所述磁焦斑控制单元与所述靶之间。

3.根据权利要求2所述的X射线管，其中，所述磁焦斑控制单元和所述电子收集器定义公共孔，在操作期间所述电子束通过所述公共孔。

4.根据权利要求3所述的X射线管，其中，以所述X射线衰减材料填充的所述树脂呈现X射线必须穿透才能射出所述X射线管的至少约9mm的厚度。

5.根据权利要求1所述的X射线管，其中，所述X射线衰减材料包括高密度非磁性材料。

6.根据权利要求1所述的X射线管，其中，所述X射线衰减材料包括氧化铋。

7.根据权利要求6所述的X射线管，其中，通过至少约40％体积百分比的氧化铋掺杂所述树脂。

8.根据权利要求6所述的X射线管，其中，通过至少约50％体积百分比的氧化铋掺杂所述树脂。

9.根据权利要求1所述的X射线管，其中，所述X射线衰减材料包括氧化铅。

10.根据权利要求1所述的X射线管，其中，所述X射线衰减材料包括硫酸钡。

11.根据权利要求1所述的X射线管，其中，所述磁焦斑控制单元包括一对基本相同的电磁体。

12.一种用于X射线管的电磁体，包括：

用于磁焦斑控制单元的电磁体组件，所述磁焦斑控制单元配置成设在X射线管的阴极与靶之间并配置成生成电磁场以影响所述电子束，所述电磁体被装入在以X射线衰减材料填充的树脂中。

13.根据权利要求12所述的电磁体，其中，所述X射线衰减材料包括高密度非磁性材料。

14.根据权利要求12所述的电磁体，其中，所述X射线衰减材料包括氧化铋、氧化铅和/或硫酸钡。

15.根据权利要求12所述的电磁体，其中，通过至少约40％体积百分比的氧化铋掺杂所述树脂。

16.一种形成电磁体的方法，包括：

通过X射线衰减材料掺杂树脂；

围绕磁芯缠绕线圈；以及

将所述磁芯和所述线圈装入在所填充的树脂中。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述X射线衰减材料包括高密度非磁性材料。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述X射线衰减材料包括氧化铋。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，通过至少约40％体积百分比的氧化铋掺杂所述树脂。

20.根据权利要求16所述的方法，其中，通过至少约50％体积百分比的氧化铋掺杂所述树脂。

21.根据权利要求16所述的方法，其中，所述X射线衰减材料包括氧化铅。

22.根据权利要求16所述的方法，其中，所述X射线衰减材料包括硫酸钡。

23.根据权利要求16所述的方法，其中，将所述磁芯和线圈装入在厚度为至少约9mm的所述填充的树脂中。

24.根据权利要求16所述的方法，包括基于期望的X射线衰减水平，调整填充在所述树脂中的衰减材料的量。

25.根据权利要求16所述的方法，包括基于所述树脂的期望厚度，调整填充在所述树脂中的衰减材料的量。