[发明专利]超细间距焊盘的叠层倒装芯片封装结构及底填充制造方法

权利要求书

1.一种叠层倒装芯片封装结构，其中，所述叠层倒装芯片封装结构包括：

基板，基板上设置有多个焊盘；

上下堆叠的多个芯片，每个芯片上均设置有焊盘；

多个导电柱，设置在芯片的焊盘与基板之间，基板焊盘与芯片焊盘之间通过所述多个导电柱进行电连接，所述多个导电柱中的一部分上下堆叠在一起，最上层的芯片通过多层导电柱与基板电连接；

底部填充材料，填充在各个芯片之间的间隙中。

2.根据权利要求1所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

芯片焊盘上设置的导电柱的层数大于等于位于该芯片下方的芯片焊盘上设置的导电柱的层数。

3.根据权利要求1或2所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

最下层的芯片通过一层导电柱与基板电连接。

4.根据权利要求1或2所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

各层芯片均包含有间距小于150um的焊盘。

5.根据权利要求1或2所述的叠层倒装芯片封装结构，所述多个导电柱包括第一导电柱、第二导电柱和第三导电柱，第二导电柱堆叠在第一导电柱上方，第三导电柱设置在最下层的芯片上。

6.根据权利要求5所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

第一导电柱和第二导电柱之间、以及第一导电柱和第三导电柱与基板焊盘之间通过焊料连接，焊料包括第一焊料、第二焊料和第三焊料。

7.根据权利要求6所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

基板焊盘通过第一焊料与第一导电柱的一端连接，基板焊盘通过第三焊料与第三导电柱一端连接，第一导电柱与第二导电柱之间通过第二焊料连接。

8.根据权利要求6或7所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

第一焊料的熔点比第二焊料和第三焊料的熔点高50℃以上。

9.根据权利要求6或7所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

第一焊料和第二焊料以及第三焊料的材料均为无铅焊料。

10.根据权利要求1或2所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

在该封装结构的用于各层导电柱之间连接以及用于导电柱与基板焊盘连接的所有焊料中，在与各层芯片直接连接的导电柱下端所设的焊料的熔点是最低的。

11.根据权利要求1或2所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

底部填充材料还填充在芯片与基板之间的间隙中，并包覆了各层焊料和导电柱。

12.根据权利要求1或2所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

第一导电柱和第二导电柱以及第三导电柱的材料都为铜。

13.根据权利要求1或2所述的叠层倒装芯片封装结构，其中，

芯片的焊盘与一部分导电柱之间设有UBM层。

14.一种制造如权利要求1-13中任一项所述的叠层倒装芯片封装结构的方法，其中，所述方法包括：

将预置有第一导电柱的载体通过回流焊连接到基板上后，分离第一导电柱与载体，使第一导电柱通过第一焊料连接保留在基板焊盘上，

将预置有第三导电柱的第一芯片贴装到基板上对应焊盘上，将预置有第二导电柱的第二芯片贴装到基板上对应的第一导电柱上，再次回流焊后使芯片与基板形成互连，

然后用底部填充材料填充到芯片与芯片之间的间隙以及芯片与基板之间的间隙中。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在载体的表面设置保护层，在分离第一导电柱与载体之前，第一导电柱镀在载体的保护层上。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，第一导电柱与第一焊料之间的结合力以及第一焊料与基板焊盘之间的结合力大于第一导电柱与载体的保护层之间的结合力。