[发明专利]电浆抗流方法及电浆抗流圈

说明书

技术领域

本发明涉及一种电浆抗流方法及电浆抗流圈，它能够利用电浆抗流方法及电浆抗流圈，将外来的突波或电路内的突波引入电浆抗流圈中，借由电浆抗流圈中的导电回圈的表面粒子被磁场或电场解离为高能电子、高能离子和高能中性原子等的电浆反应，以达到有效地消除或吸收该突波的目的。

背景技术

各式各样的抗流圈(Choke coil)被运用在各种不同功能型态的电器产品中，以便提升能源的使用率，并降低电源损耗，以增加电器产品寿命。而目前一般的抗流圈，由线圈(Coil)缠绕在硅钢片(Silicon sheet steel)外缘所构成的电感器(Inductor)来达成。

此外，一般集成电路(Integrated Circuit，IC)或大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit，LSI)等的半导体装置，因高压静电而被破坏或特性劣化。因此，于半导体装置中作为应对静电的方法，使用有电感器等的突波吸收元件。或由电感器〔当作为吸收突波作用时，则被称为「抗流圈」〕与变阻器(varistor)共同构成的突波吸收元件。

吾等均知，当对利用长导线所绕成的均匀螺旋状的螺线管(Solenoid)通电时，根据安培右手定则(Ampere’s circuital law)会在螺线管内产生均匀的磁场。而当在螺线管内放入软铁芯后，虽可使插有软铁芯(铁磁性材质)的螺线管内的磁通量，远比空心螺线管的磁通量大为增加，但不可避免地会在所放入的软铁芯内部产生涡流Eddy Current现象，因而产生的热量而导致磁能的损耗。

虽然将铁芯改成更薄且多层迭压的硅钢片，企图降低磁路饱和，以期减少每层硅钢片内所产生的涡流现象所产生的热量及其所连带造成的能量损耗，可以适度地解决上述的问题。但是除了无法彻底解决的前述涡流现象，以及因该涡流现象引发的热量及能量的损耗之外，而且还会加大整组螺线管的重量与体积。

因此使用电感器作为突波吸收元件时，无法避免地会将电流内的电能转化成热能，造成电感元件的质量因素(Quality Factor，简称Q值)下降的问题。

发明内容

为解决现有技术存在的电感器作为突波吸收元件时，尤法避免地会将电流内的电能转化成热能，同时造成电感元件的质量质量因素(Quality Factor，Q值)下降的问题，本发明提供一种电浆抗流方法及电浆抗流圈，它可以借将封装在密闭空间内的反应流体〔「流体」指气体、液体〕电离而将突波吸收，并借由被电离的反应流体沿着导电回圈表面作螺旋运动，而产生微量的磁场让导电回圈的所需讯号的电阻下降，减少干扰，增加质量因素(Quality Factor，Q值)。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

本发明电浆抗流方法，它是在密闭空间内，装设该至少一组导电回圈，并在该密闭空间内充填反应流体〔「流体」指气体、液体〕，可对外来的突波产生对应的感抗(亦即产生与外来突波对应的感应电动势)，进而使密闭空间内的导电回圈与反应流体产生电浆反应〔亦即导电回圈的表面粒子被磁场或电场解离为高能电子、高能离子和高能中性原子等的电浆反应〕，以消除或吸收该外来的突波。

本发明所提供的电浆抗流方法，其中该导电回圈具有单组或数组。

本发明所提供的电浆抗流方法，其中该数组导电回圈进一步彼此对应设置。

本发明所提供的电浆抗流方法，其中该或该等导电回圈之中的至少一组导电回圈，具有至少一支端子自密闭空间内向外穿出。

本发明所提供的电浆抗流方法，具中该或该等导电回圈之中的至少一组导电回圈，具有至少一支端子被完全封闭在密闭空间内，并且不与密闭空间外接触。

本发明电浆抗流圈，它包含：密闭空间；至少一组导电回圈，装设于上述密闭空间内，并在该密闭空间内充填反应流体〔「流体」指气体、液体〕，可对外来的突波产生对应的感抗(亦即产生与外来突波对应的感应电动势)，使电浆抗流圈产生电浆反应〔亦即导电回圈的表面粒子被磁场或电场解离为高能电子、高能离子和高能中性原子等的电浆反应〕，以消除或吸收该外来的突波。

本发明所提供的电浆抗流圈，其中该导电回圈具有单组或数组。

本发明所提供的电浆抗流圈，其中该数组导电回圈进一步彼此对应设置。

本发明所提供的电浆抗流圈，其中该或该等导电回圈之中的至少一组导电回圈，具有至少一支端子自密闭空间内向外穿出。

本发明所提供的电浆抗流圈，其中该或该等导电回圈之中的至少一组导电回圈，具有至少一支端子被完全封闭在密闭空间内，并且不与密闭空间外接触。