[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201210012392.4 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN102593240A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 高志勋;金振镐;安俊勇;李大龙 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;吕俊刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:
通过使用离子注入法来在第一导电类型的基板的第一表面处形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区;
在被定位为与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上形成钝化层;以及
形成第一电极和第二电极,所述第一电极位于所述基板的所述第一表面上并连接到所述发射区,而所述第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成所述发射区的步骤包括以下步骤:
使用所述离子注入法将所述第二导电类型的杂质注入到所述基板的所述第一表面中,以在所述基板的所述第一表面处形成杂质区;以及
在氧气环境中对具有所述杂质区的所述基板进行热处理,以将所述杂质区转变为所述发射区并在所述基板的所述第一表面和所述第二表面上形成第一热氧化膜和第二热氧化膜。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,在700℃至900℃的温度执行所述热处理。
4.根据权利要求2所述的方法,该方法还包括以下步骤:去除所述第一热氧化膜和所述第二热氧化膜。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,所述钝化层形成在位于所述基板的所述第二表面上的所述第二热氧化膜上。
6.根据权利要求2所述的方法,该方法还包括以下步骤:在位于所述基板的所述第一表面上的所述第一热氧化膜上形成防反射层,
其中,所述第一电极通过所述防反射层和所述第一热氧化膜连接到所述基板。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述防反射层由氮化硅形成。
8.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一热氧化膜和所述第二热氧化膜中的每一个具有大致15nm至30nm的厚度。
9.根据权利要求4所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述发射区上形成防反射层,
其中,所述第一电极通过所述防反射层连接到所述发射区。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述防反射层由氮化硅形成。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述钝化层由氮化硅形成。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成所述钝化层的步骤包括以下步骤:
使用氧化硅形成第一钝化层;以及
使用氮化硅形成第二钝化层。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成所述钝化层的步骤包括以下步骤:
使用氧化铝形成第一钝化层;以及
使用氮化硅形成第二钝化层。
14.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一导电类型是p型,并且所述第二导电类型是n型。
15.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一导电类型是n型,并且所述第二导电类型是p型。
16.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括以下步骤:在形成所述发射区之前,在所述基板的所述第一表面和所述第二表面中的每一个上形成纹理表面。
17.根据权利要求16所述的方法,该方法还包括以下步骤:对形成在所述基板的所述第二表面上的所述纹理表面进行抛光,以形成平坦表面。
18.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:
第一导电类型的基板,该基板包括被定位为彼此相反的第一表面和第二表面;
与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射区,使用离子注入法在所述基板的所述第一表面处形成该发射区;
第一电极,该第一电极位于所述基板的所述第一表面上并电连接到所述发射区;
钝化层,该钝化层位于所述基板的所述第二表面上;以及
第二电极,该第二电极位于所述基板的所述第二表面上并通过所述钝化层选择性地连接到所述基板。
19.根据权利要求18所述的太阳能电池,其中,所述发射区具有60Ω/sq.至120Ω/sq.的薄层电阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的