[发明专利]多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法无效
申请号: | 201210012849.1 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN102569032A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 韩梅;罗乐;徐高卫;王双福 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/522 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 金属化 薄膜 叠加 制作 电感 元件 方法 | ||
1.一种多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法,其特征在于在基板或衬底上溅射种子层,光刻形成掩膜,电镀金属形成第一层金属互连传输线及第一电感金属层,去除光刻胶及种子层;旋涂光敏介质层,曝光显影形成金属互连通孔及第二电感金属沟槽图形,第二电感沟槽图形与第一电感图形相同,退火,等离子体干刻去除显影残余部分,电镀金属形成金属互连通孔及第二电感金属层;形成第二层金属互连线及第三电感金属层;形成最外层金属通孔;从而形成多层金属化薄膜叠加的电感金属;所述的金属互连线和多层金属化薄膜叠加的电感元件是同时形成的。
2.按权利要求1所述的方法,其特征在于具体步骤是:
A.利用溅射、光刻和电镀工艺形成金属互连传输线及电感图形
(a)在基板或衬底上溅射种子层;
(b)旋涂光刻胶,曝光显影,形成第一金属互连线及第一层电感图形的掩膜。
(c)电镀金属,优选为铜,形成第一层金属互连传输线及第一层电感图形;
(d)溶解阻挡层光刻胶,刻蚀残留种子层;
B.光刻工艺形成介质层
(a)旋涂光敏介质,可为光敏聚酰亚胺或光敏BCB;
(b)软烘,曝光显影,形成金属互连通孔及附加电感图形沟槽,第二层电感图形与第一层电感图形相同,退火;
(c)等离子体干刻去除显影残余部分;
C.电镀填充金属互连通孔及第二层电感图形
以第一层金属互连传输线及第一层电感图形金属作为种子层电镀形成金属互连通孔及第二层电感图形金属;
第一层电感图形和第二层电感图形互通共同确定电感元件结构。
3.按权利要求2所述的方法,其特征在于重复步骤A形成第二层金属互连传输线及第三层电感金属;三层金属电感层具有相同的电感图形,且相互连通,三层金属电感层共同构成电感元件。
4.按权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于所形成的第一层、第二层或第三层电感金属层间并无接触电阻。
5.按权利要求1或2所述的方法,其特征在于形成金属互连传输线为两层以上;形成的电感金属层为三层以上。
6.按权利要求1或2所述的方法,其特征在于第一层、第二层或第三层电感金属层的厚度为0.5-20μm;形状为圆螺旋形、多边螺旋形或折线形。
7.按权利要求6所述的方法,其特征在于第一层、第二层或第三层电感金属层的厚度为3μm。
8.按权利要求1或2所述的方法,其特征在于与圆片级封装中重布线工艺兼容,同时形成比RDL金属薄膜厚度大的电感金属层。
9.按权利要求8所述的方法,其特征在于所述RDL工艺布线层数以及电感元件品质因素,可重复A、B、C三个步骤以形成更厚的电感元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造