[发明专利]一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构无效

专利信息
申请号: 201210012854.2 申请日: 2012-01-16
公开(公告)号: CN102655125A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 宁文果;罗乐;徐高卫 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 潘振甦
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 双面 溅射 金属 减小 硅圆片翘曲 结构
【权利要求书】:

1.一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构,其特征在于溅射于硅圆片(1)正面的用于将来制作图形的金属层(2)、在硅圆片(1)的背面溅射用于减小硅圆片翘曲的金属层(3);所溅射的背面金属的热膨胀系数大于正面溅射金属的热膨胀系数,则背面溅射的金属层的厚度小于正面溅射金属层的厚度,反之亦然;当正面和背面溅射的金属膨胀系数相同时则正面和反面溅射的金属层厚度相同。

2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,背面金属层金属可与正面金属层金属相同,也可与正面金属层的金属不同,所述的金属层的金属包括但并不限于Ti、TiW、Cu、Cr或Ni。

3.根据权利要求1、2所述的结构,其特征在于:背面金属层是一层金属或多层金属。

4.根据权利要求3所述的结构,其特征在于:多层金属层为三层,但不限于三层。

5.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于:背面金属层可做出与正面金属层完全相同的图形来进一步减小翘曲。

6.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于:背面金属层在正面所有后续光刻工艺完成后去除;或与正面金属层同步进行光刻腐蚀工艺。

7.根据权利要求1或2所述的结构,其特征在于:制作图形的金属层(2)包括Ti/W层或TiW/Cu层起粘附作用的金属层。

8.根据权利要求3所述的结构,其特征在于:背面金属层可做出与正面金属层完全相同的图形来进一步减小翘曲。

9.根据权利要求3所述的结构,其特征在于:背面金属层在正面所有后续光刻工艺完成后去除;或与正面金属层同步进行光刻腐蚀工艺。

10.根据权利要求3所述的结构,其特征在于:制作图形的金属层(2)包括Ti/W层或TiW/Cu层起粘附作用的金属层。

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