[发明专利]半导体模块有效
申请号: | 201210013261.8 | 申请日: | 2012-01-13 |
公开(公告)号: | CN102593091A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 门口卓矢;奥村知巳;三好达也 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L23/433;H01L21/48 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;张彬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 | ||
1.一种半导体模块,其包括:
金属块;
半导体装置,其经由焊料层而安装于所述金属块的表面的半导体装置安装区域中;以及
模压部,其通过在所述金属块和所述半导体装置上对树脂进行模压而形成;
其中所述金属块的所述表面包括电镀区域和粗化区域,并且
所述半导体装置安装区域设置在所述电镀区域中。
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中所述电镀区域相对于所述金属块而形成为带状。
3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中所述电镀区域包括形成于其中的多个凹部。
4.根据权利要求2或3所述的半导体模块,其中所述粗化区域以带状形成在所述电镀区域的相对两侧上。
5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的半导体模块,其中所述金属块的所述表面包括金属板上表面,所述金属板由不同于所述金属块的材料而形成并且被压入配合至所述金属块的一部分;
所述金属板的所述上表面制成所述粗化区域;并且
所述金属块的所述表面的除所述金属板的所述上表面以外的区域制成所述电镀区域。
6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的半导体模块,其中多个所述半导体装置安装区域设置在所述金属块的所述表面上。
7.一种制造半导体模块的方法,所述半导体模块包括:金属块;半导体装置,其经由半导体装置安装区域中的焊料层而安装于所述金属块的表面;以及模压部,其通过在所述金属块和所述半导体装置上对树脂进行模压而形成,所述方法包括:
第一工序,其中制备带状金属材料,多个所述半导体装置安装区域在所述带金属材料上排成直线,并且对所述金属材料的表面上的预定区域进行电镀以便形成包含有所述半导体装置安装区域的电镀区域;
第二工序,其中用掩模覆盖所述电镀区域;
第三工序,其中对暴露在所述金属材料的所述表面上的所述掩模之外的区域进行粗化以形成粗化区域;以及
第四工序,其中沿垂直于所述金属材料的纵向的方向切割并分离所述金属材料以便形成包括至少一个半导体装置安装区域的金属块。
8.根据权利要求7所述的方法,在所述第一工序前,还包括将金属板压入配合在所述金属材料的一部分上的工序,如此,所述金属板的上表面作为所述金属材料的所述表面的一部分而露出,所述金属板由不同于所述金属材料的材料形成;其中
在所述第一工序中,所述电镀区域通过选择性地对所述金属材料的所述表面的除所述金属板的所述上表面以外的区域进行电镀而形成。
9.根据权利要求7所述的方法,在所述第一工序前,还包括用第二掩模覆盖所述金属材料的所述表面的工序,如此,露出带状区域,所述半导体装置安装区域在所述带状区域中排成直线;其中
在所述第一工序中,所述电镀区域通过对所述金属材料的所述表面的暴露于所述第二掩模外的区域进行电镀而形成,并且
在所述第三工序中,在移除所述第二掩模后形成所述粗化区域。
10.根据权利要求7至9中的任何一项所述的方法,还包括第五工序,其中在所述电镀区域中形成多个凹部。
11.根据权利要求7至10中的任何一项所述的方法,其中所述金属材料为一种环材料。
12.根据权利要求7至11中的任何一项所述的方法,其中所述掩模和/或所述第二掩模为带状构件,其宽度对应于待遮掩区域的宽度。
13.一种混合系统,其包括权利要求1至6中的任何一项所述的半导体模块。
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