[发明专利]一种光刻胶背面曝光工艺无效
| 申请号： | 201210013655.3 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102566313A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;谭先华;史铁林;刘文亮;高阳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 背面 曝光 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻胶背面曝光工艺，其特征在于，该方法包括下述步骤：
第1步 溅射铬掩膜层：以洁净的透明玻璃基片作为基底，在其正面溅射一层铬作为掩膜层，掩膜层厚度为200nm-500nm；
第2步 在铬掩膜层层上均匀涂覆一层光刻胶，然后依次进行曝光、显影，得到所需光刻胶图形；
第3步 湿法腐蚀铬掩膜层，将光刻胶图形转移到铬掩膜层上，得到所需的掩膜层图形；
第4步 在铬掩膜层图形上涂覆光刻胶，光刻胶厚度为5-100um；
第5步 将透明玻璃基片正面朝下，进行曝光；
第6步 将曝光的透明玻璃基片显影，完毕得到所需的光刻胶结构。
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