[发明专利]可变衰减器装置无效

专利信息
申请号: 201210013909.1 申请日: 2012-01-05
公开(公告)号: CN102544661A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 阎跃军 申请(专利权)人: 阎跃军
主分类号: H01P1/22 分类号: H01P1/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 可变 衰减器 装置
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及一种电子及通信的可变衰减器装置,尤其涉及一种可用于各种高频和微波电路及系统的可变衰减器装置。

【背景技术】

在电子部件家族里,可变衰减器装置是电路和系统中常用的基本部件之一。可变衰减器装置的存在,使电路制作和系统的调试变得更加灵活,方便。在几百MHz以下的电路和系统中,可变衰减器装置已得到广泛地应用。如CATV系统和微波电路系统中,用于测试,调节电平,增加隔离等等。可是当使用频率在较高频带时,现有结构由接触簧片,滑块,丝杆等制成的立体结构的可变衰减器装置,其寄生参数大,高频特性较差。

在实际生产改进过程中,还遇到了PCB板与微带电阻接触时,需要较大的压力来解决接触的问题,压力大了,摩擦力也就随之变大,若微带电阻制作的不太平滑时,会影响导电片短路电阻的效果。由于接触的底面不太平整而影响接触。另外,压力过大,会磨损电阻,是电阻的阻值改变。同时如何提高可变衰减器的衰减量精度和反射系数的问题。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题在于提供一种具有良好宽频带特性,适合高频和微波电路及系统中的可变衰减器装置。

为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:提供一种可变衰减器装置,其包括:基体、该基体上的膜片电阻所组成的衰减器、该衰减器的两信号端和接地端、绝缘轴体、其特征在于:该可变衰减器装置还包括至少一个弹簧,该弹簧的径向的一部分水平嵌入在该绝缘轴体的底部的凹槽内,该弹簧分别与该衰减器的串联膜片电阻、并联膜片电阻相接触,通过运动该绝缘轴体带动该弹簧运动,从而改变该串联膜片电阻和并联膜片电阻的阻值。

该膜片电阻所组成的衰减器是T型衰减器、π型衰减器或桥型衰减器。

对于该T型衰减器或该桥型衰减器,该可变衰减器装置进一步包含一个固定电阻,该固定电阻与该T型衰减器或该桥型衰减器的并联电阻串联相接。

对于该π型衰减器,该可变衰减器装置进一步包含至少一个固定电阻,该固定电阻与该π型衰减器的并联电阻串联相接。

对于该T型衰减器,该绝缘轴体上嵌入有三个弹簧,其中两个该弹簧分别与该T衰减器的串联膜片电阻相接触,另外一个与该T型衰减器的并联膜片电阻相接触。

对于该π型衰减器,该绝缘轴体上嵌入有三个弹簧,其中一个该弹簧与该π衰减器的串联膜片电阻相接触,另外两个分别与该π型衰减器的并联膜片电阻相接触。

对于该桥型衰减器,该绝缘轴体上嵌入有两个弹簧,其中一个该弹簧与该桥衰减器的串联膜片电阻相接触,另外一个与该桥型衰减器的并联膜片电阻相接触。

该可变衰减器装置进一步包括一个精密调节蜗杆和蜗轮。

该可变衰减器装置进一步包括弹性硅胶片,该硅胶片嵌入在该凹槽与该弹簧之间。

该可变衰减器装置进一步包括弹性硅胶圈,该硅胶圈套在该绝缘轴体上。

该可变衰减器装置进一步包括金属管脚、树脂壳体或塑料壳体。

该可变衰减器装置进一步包括金属壳体和金属连接器。

本发明的有益效果是:由于用金属弹簧来短路膜片电阻,可以很好地解决金属导体与膜片电阻有效接触的问题,当垂直外力挤压该弹簧时,该弹簧可以很好地与水平面接触,并且不会因为该弹簧1接触的底面不太平整而影响接触。同时,由于弹簧的形状很容易轴向改变(弯曲),可以很容易安装在不同弧度的凹槽内,装配方便,制造成本低。

因此本发明具有以下优点:

a.弹簧与膜片电阻接触容易;

b.装配方便,适合于不同弧度的凹槽;

c.体积小,调节方便,适用各种小型化电路及通信电路中;

c.精度高、反射系数好、构造简单,制作成本低;

d.使用频率范围极广。可以在高频及微波频带广范围实现信号的连续可变衰减。

【附图说明】

图1它是本发明的可变衰减器装置的弹簧的结构示意图。

图2它是本发明的可变衰减器装置的绝缘轴体的底部结构示意图。

图3它是本发明的可变衰减器装置的绝缘轴体的嵌入有弹簧的底部结构示意图。

图4它是本发明的可变衰减器装置的绝缘轴体的嵌入有弹簧的截面结构示意图。

图5它是本发明的可变衰减器装置的绝缘轴体与弹簧间嵌入弹性硅胶片的截面结构示意图。

图6它是本发明的可变衰减器装置的T型衰减器的结构示意图。

图7它是本发明的可变衰减器装置的改变衰减量的结构示意图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阎跃军,未经阎跃军许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210013909.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top