[发明专利]一种载片台

说明书

技术领域

 本发明涉及等离子体工艺技术领域，特别涉及一种用于支撑芯片的载片台。

背景技术

在等离子体刻蚀工艺中所使用的载片台是一种芯片固定结构，选择合理的芯片固定结构，对等离子体刻蚀工艺的可靠性和稳定性有重要的作用。在选择芯片固定结构时，应当考虑芯片的尺寸，刻蚀工艺的气体流量分布，芯片固定结构材料对于刻蚀工艺过程的物理和化学影响，以及刻蚀工艺过程产生的热效应等因素。对于具有射频或者直流偏压的工艺结构，在选择芯片固定结构时，还应考虑电极对载片台的电磁场分布作用的影响。

现有技术中，载片台通常采用的是铝合金阳极氧化，具有He气体冷却加水冷结构。这种载片台结构复杂，不易安装维护。并且，当冷却水的温度较低时，容易在载片台外部或下电极周围凝结水珠或者反应聚合物，导致降低刻蚀速率，从而影响刻蚀工艺的均匀性和稳定性。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出了一种能够提高等离子工艺技术的均匀性和稳定性，优化等离子体芯片固定结构，减少等离子体电磁场特定不均匀问题的载片台。

本发明提供的载片台包括腔室、腔室上盖、电极，

所述腔室底部开设有出气口，

所述腔室上盖装设于所述腔室上，所述腔室上盖上开设有进气口，所述腔室上盖于所述进气口下部附着有电极，

其特征在于，

还包括芯片固定盘、固定盘支撑环和支撑盘，

所述支撑盘呈环状，所述支撑盘中心开设有第Ⅰ通孔，所述支撑盘装设于所述腔室的内侧壁上，

所述固定盘支撑环装设于所述支撑盘上，所述固定盘支撑环包埋住所述第Ⅰ通孔，

所述芯片固定盘装设于所述固定盘支撑环上，所述芯片固定盘上均匀地开设有第Ⅱ种通孔。

作为优选，还包括调整环、所述调整环装设于所述固定盘支撑环和所述芯片固定盘之间，使得所述芯片固定盘相对于所述固定盘支撑环的安装高度能够调整。

作为优选，所述芯片固定盘中心设有圆形凹槽，使得芯片能够被置于所述凹槽中。

作为优选，所述固定盘支撑环上均匀地开设有第Ⅲ种通孔。

作为优选，所述第Ⅲ种通孔的直径由上至下依次增大。

作为优选，

所述芯片固定盘直径为10～1000mm，厚度为1～100mm，

所述固定盘支撑环的直径能够与所述芯片固定盘的直径相配合，所述固定盘支撑环的高度10mm～1000mm。

所述调整环的直径能够与所述芯片固定盘和所述固定盘支撑环的直径相配合，所述调整环壁厚为1~100mm，高度为10mm～1000mm。

作为优选，制成所述芯片固定盘和/或固定盘支撑环和/或调整环的材料选自聚四氟、聚碳酸酯、石英、陶瓷、铝合金、SiC、不锈钢中的一种。

作为优选，所述固定盘支撑环上涂覆有导热材料。

本发明提供的载片台的有益效果在于：

本发明提供的载片台的芯片固定结构包括芯片固定盘和固定盘支撑环，能够减小或避免等离子体启辉时由于结构不对称而引起的工艺不均匀现象，简化匀气结构，在等离子体启辉条件下，本发明提供的载片台没有出现放气现象，因此，可以保持芯片对腔室真空度的要求。

附图说明

图1为本发明实施例提供的载片台的整体结构剖视示意图；

图2为本发明实施例提供的载片台的芯片固定结构的立体结构示意图；

图3为本发明实施例提供的载片台的芯片固定盘的立体结构示意图；

图4为本发明实施例提供的载片台在使用过程中气体流量控制示意图。

具体实施方式

为了深入了解本发明，下面结合附图及具体实施例对本发明进行详细说明。

参见附图1，本发明提供的载片台包括腔室6、腔室上盖5、电极4、芯片固定盘1、固定盘支撑环3和支撑盘7，腔室6底部开设有出气口9。腔室上盖5装设于腔室6上，腔室上盖5上开设有进气口8，腔室上盖5于进气口8下部附着有电极4。支撑盘7呈环状，支撑盘7中心开设有第Ⅰ通孔10，支撑盘7装设于腔室6的内侧壁上。固定盘支撑环3装设于支撑盘7上，固定盘支撑环3包埋住第Ⅰ通孔10。芯片固定盘1覆盖于固定盘支撑环3上，参见附图2，芯片固定盘1上均匀地开设有第Ⅰ种通孔11，在气体导流时，在刻蚀过程中，由于气体流动产生向下的牵引力，第Ⅰ种通孔11能够将刻蚀过程产生的大部分的热量带走，从而加快冷却速度。