[发明专利]一种钛酸钡钙-锆钛酸钡-锡钛酸钡三元系无铅压电陶瓷有效
申请号: | 201210013996.0 | 申请日: | 2012-01-17 |
公开(公告)号: | CN102531578A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 李伟;徐志军;初瑞清;付鹏;李艳;倪俊杰 | 申请(专利权)人: | 聊城大学 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 252059 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钛酸钡 三元 系无铅 压电 陶瓷 | ||
技术领域
本发明属于无铅压电材料领域,具体涉及一种钛酸钡钙-锆钛酸钡-锡钛酸钡(BCT-BZT-BST)三元系无铅压电陶瓷及其制备工艺。
背景技术
长久以来,以锆钛酸铅(PZT)为代表的铅基压电陶瓷在商业应用上一直占据主导地位,但PZT陶瓷的铅含量高达60%以上,在制备、使用和废弃过程中对生态环境和人类健康造成严重危害,世界各国,如欧盟、美国和日本等先后立法,我国信息产业部也拟定了《电子信息产品污染防治管理办法》,禁止或限制铅在电子工业中的使用。因此,寻找能够代替PZT的无铅压电材料成为电子材料领域的紧迫任务之一。
迄今为止,可被考虑的无铅压电陶瓷体系主要有以下5类: (Bi0.5Na0.5)TiO3 (BNT)基无铅压电陶瓷;K1-xNaxNbO3 (KNN)基无铅压电陶瓷;BaTiO3(BT)基无铅压电陶瓷;铋层状结构无铅压电陶瓷;钨青铜结构无铅压电陶瓷。然而,无铅压电陶瓷的压电性能相对较差 (压电常数d33≤250pC/N),一直没有能够真正的替代PZT陶瓷。近年来,研究者通过探索改进制备工艺和在现有体系的基础上掺杂其他元素来提高材料性能。Y. Saito等采用反应模板晶粒生长(RTGG)制备织构KNN基无铅压电陶瓷,压电常数d33最大可达416 pC/N (Y. Saito, H. Takao, T. Tani, T. Nonoyama, K. Takatori, T. Homma, T. Nagaya, and M. Nakamura[J]. Lead-free piezoceramics. Nature 2004, 432: 84–87)。赁敦敏等公布的公开号为CN 101239824A 的发明专利中,(1-z)(K1-xNax)NbO3-zBa(Ti1-yZry)O3陶瓷的d33值达到234pC/N。其高压电活性都是从准同型相界区域获得。BaTiO3基压电陶瓷是ABO3型钙钛矿铁电体,其A位离子可被Ca,Sr,La,Sm,Dy,Y等元素取代,其B位离子可被Zr,Sn,Nb,Ce等元素取代,从而调整准同型相界区域,获得具有高压电性能的BT基无铅陶瓷。在公开号为CN 101935212A的发明专利中,高峰等研究了(1-x)Ba(Ti0.8Zr0.2)O3-x(Ba0.7Ca0.3)TiO3(BCT-BZT)二元系陶瓷的压电性能,其压电常数d33达385 pC/N。据所查到的相关专利中,均未见BCT-BZT-BST三元系陶瓷的制备和高压电性研究。
发明内容
本发明的目的是为了解决无铅压电陶瓷压电性能较差的问题,提供一种BCT-BZT-BST三元系系陶瓷粉体及制备的陶瓷,以及其制备工艺,所述陶瓷具有较好的压电性能。
本发明的方案是:一种BCT-BZT-BST三元系无铅压电陶瓷粉体,组分为Ba0.8-xCaxTi0.8O3-0.1BaTi0.9Sn0.1O3-0.1BaTi0.8Zr0.2O3,其中x=0.005~0.06(优选x=0.008~0.045,更加优选x=0.01~0.04)。优选的,x=0.005、0.01、0.02、0.03、0.04或0.06。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聊城大学,未经聊城大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210013996.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种改性降本ABS塑料原料配方
- 下一篇:主动式半直接激光船舵角位发送装置