[发明专利]局部阳极氧化制备纳米织构的方法无效
| 申请号： | 201210014870.5 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102530842A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 莫宇飞;黄福川;卢朝霞;杨茂立 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 45104 | 代理人： | 杨立华;翁建华 |
| 地址： | 530004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 局部 阳极 氧化 制备 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种局部阳极氧化制备纳米织构的方法，其特征在于包括以下步骤：
<1>羟基化单晶硅表面的制备先将单晶硅片的单晶硅表面浸泡在HF水溶液中进行氢钝化；取出氢钝化的单晶硅片，在去离子水中超声清洗，然后氮气吹干；
<2>表面纳米织构的制备根据预设的图案编辑计算机脚本，将该计算机脚本导入导电原子力显微镜在线控制软件中，绘制出预设的图案；操作导电原子力显微镜，在控制脉冲电压、脉冲宽度和湿度的条件下，进行氧化加工，加工后的单晶硅片表面纳米织构经过导电原子力显微镜扫描后确认。
2.根据权利要求1所述的局部阳极氧化制备纳米织构的方法，其特征在于：所述HF水溶液的体积浓度为1～4％。
3.根据权利要求2所述的局部阳极氧化制备纳米织构的方法，其特征在于：所述氢钝化持续0.5～4分钟。
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