[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

技术领域

本发明总体上涉及半导体器件，并且更具体地涉及具有绝缘基片(衬底)的半导体器件及其形成方法。

背景技术

在电子部件的许多应用中，大电流或大电压被施加到这些电子部件的外表面上。此类应用的实例包括电流传感器，其中承载大电流的导体被放置在电子部件的主要表面上(典型地与其接触)。此类应用要求工作半导体区域与极端性的静电势及电流良好的隔离。

因此，需要改进器件以及形成器件的方法，这些器件能为高电压或电流应用提供了改进的隔离。

发明内容

通过本发明的示例性实施例，总体上解决了或避免了这些及其他问题，并且总体上实现了多种技术优势。

根据本发明的实施例，一种半导体器件包括绝缘基片、以及设置于绝缘基片上的半导体基片。半导体基片的半导体材料具有与绝缘基片大致相同的热膨胀系数。器件区域设置于半导体基片内。隔离层衬于半导体基片的侧壁。

根据本发明的替代性实施例，一种半导体器件包括玻璃基片、以及设置于绝缘性基片上的半导体基片。磁性传感器设置于半导体基片之内和/或之上。

根据本发明的替代性实施例，一种形成半导体器件的方法包括在半导体基片之内和/或之上形成器件区域。器件区域形成为与半导体基片的前侧相邻。半导体基片的背侧(该背侧与前侧相对)附接于绝缘基片上。在不完全地切割绝缘基片的情况下对半导体基片进行切割以便暴露半导体基片的侧壁，从而保持晶片的形状用于进一步的处理。在半导体基片的被暴露的侧壁上形成隔离衬里。将绝缘基片分离以便形成切割的芯片。

根据本发明的替代性实施例，一种形成半导体器件的方法包括在半导体基片之内和/或之上形成器件区域。器件区域形成为与半导体基片的前侧相邻。将绝缘基片附接于半导体基片的前侧上。从背侧将半导体基片打薄，背侧与前侧相对。在不完全地切割绝缘基片的情况下从背侧切割半导体基片，从而暴露打薄的半导体基片的侧壁。通过单独分开来形成各个芯片。

以上已经相当广义地描述了本发明实施例的特征，以便下面可以更好地理解本发明的详细描述。以下将描述本发明实施例的附加特征及优点，它们构成了本发明的权利要求的主题。本领域的普通技术人员应当理解，在此所披露的概念及具体实施例可以很容易用作修改或设计用于执行与本发明相同目的的其他结构或工艺的基础。本领域的普通技术人员还应当认识到这些等效构造并不背离在所附权利要求中所列举的本发明的精神及范围。

附图说明

为了更完整地理解本发明及其优点，现在结合附图参考以下说明，其中：

图1示出了半导体器件的结构实施例；

图2(包括图2a至图2g)示出了半导体器件的替代性结构实施例；

图3(包括图3a至图3h)示出了根据本发明的不同实施例的在不同处理阶段中的半导体器件的截面图；

图4(图4a至图4b)示出了制造半导体器件的替代性实施例；

图5(包括图5a至图5i)示出了本发明的替代性实施例在不同处理阶段期间的半导体器件；

图6(图6a至图6h)示出了制造半导体器件的不同阶段的替代性实施例；

图7(图7a至图7e)示出了制造半导体器件的另一替代性实施例；

图8(包括图8a至图8d)示出了根据本发明的不同实施例的芯片封装；以及

图9示出了根据本发明的不同实施例的半导体器件的顶视图。

除非另外指明，否则在不同图示中相应的数字及符号总体上指代相应的部件。这些图示被绘制为用于清楚地示出这些实施例的相关方面而并非必须按比例绘制。

具体实施方式

以下将详细讨论不同实施例的制作及使用。然而，应当理解的是，本发明提供了许多可应用的发明构思，这些发明构思可以实施在多种具体情况中。所讨论的具体实施例仅仅是展示用于制作并使用本发明的示意性的具体方式，而非限制本发明的范围。

本发明的不同实施例全方位地描述了对芯片进行隔离的器件和方法，以便保护易受损坏的芯片部件不受高电压和/或电流的影响。用在高电压和/或高电流环境中的许多半导体部件要求芯片周围的隔离区域具有良好的完整性。不良的隔离质量会对敏感器件造成不可逆转的损害。一种非常容易受高电流损坏的器件类型包括典型地使用磁性传感器的电流传感器。此类器件必须放置为与高电流导体相邻，而不会产生任何进入电流传感器自身中的电流通路。