[发明专利]一种负温度系数热敏电阻芯片材料及其制备方法

权利要求书

1.一种负温度系数热敏电阻芯片材料，其特征在于：热敏粉料包括以下含量的过渡金属氧化物混合粉料：二氧化锰MnO₂ 50~85mol%、氧化亚镍NiO 1~30mol%和氧化铜CuO 1~20mol%；以及还包括添加以下组分中的至少一种：二氧化硅SiO₂ 0.2~5%（重量）、二氧化锆ZrO₂ 0.2~5%（重量）、三氧化二铝Al₂O₃ 0.2~5%（重量）、三氧化二钇Y₂O₃ 0.2~5%（重量），其中，以上的重量百分比表示组分占所述过渡金属氧化物混合粉料的总质量的比。

2.如权利要求1所述的负温度系数热敏电阻芯片材料，其特征在于：所述组分为以下中的至少一种：二氧化硅SiO₂ 0.5~2%（重量）、二氧化锆ZrO₂ 0.5~2%（重量）、三氧化二铝Al₂O₃ 0.5~2%（重量）、三氧化二钇Y₂O₃ 0.5~2%（重量）。

3.如权利要求1所述的负温度系数热敏电阻芯片材料，其特征在于：所述过渡金属氧化物混合粉料的含量为：二氧化锰MnO₂ 60~80mol%；氧化亚镍NiO 10~25mol%、氧化铜CuO 5~15mol%。

4.如权利要求1-3任意一项所述的负温度系数热敏电阻芯片材料，其特征在于：所述热敏粉料还包括添加烧结助剂三氧化二铋Bi₂O₃，所述Bi₂O₃与所述过渡金属氧化物混合粉料的质量比为（0.5~3）%:1。

5.一种负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，依次包括配制浆料、浆料流延成生坯膜片、生坯膜片叠层、等静压成型和焙烧；所述配制浆料步骤包括：在权利要求1-4任意一项所述的热敏粉料中加入有机溶剂和粘合剂制成浆料，所述有机溶剂的质量为所述热敏粉料质量的1.0~1.3倍，所述粘合剂的质量为所述热敏粉料质量的0.5~0.8倍。

6.如权利要求5所述的负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂为醋酸乙酯和丙醇的混合物，其中醋酸乙酯和丙醇的质量比为2:1~4:1。

7.如权利要求5所述的负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：所述粘合剂为邻苯二甲酸二乙酯和异丙醇的混合物，其中邻苯二甲酸二乙酯和异丙醇的质量比为1:2~1:4。

8.如权利要求5所述的负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：所述等静压成型是在10～50MPa压力下进行的。

9.如权利要求5所述的负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：所述焙烧是在温度1050~1250℃下进行的。

10.如权利要求5所述的负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：所述热敏粉料的浆料是在150～300r/min的转速下球磨10～60h得到的。