[发明专利]一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法有效
| 申请号： | 201210015837.4 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102560676A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;戴元滨;邵永亮;吴拥中;刘晓燕;张浩东;田媛 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/22;C30B25/02;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 宁钦亮 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 使用 减薄键合 结构 进行 gan 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)利用MOCVD工艺在衬底上外延生长2μm-10μm厚的GaN薄膜，形成GaN外延片；
(2)机械研磨GaN外延片的衬底，将GaN外延片的厚度减薄至20μm-100μm；
(3)将减薄后的GaN外延片，在25℃-53℃丙酮和25℃-73℃乙醇溶液下分别清洗1分钟-5分钟，用去离子水冲洗干净，再在分析纯盐酸中漂洗1分钟-5分钟，去离子水冲洗干净，氮气烘干；
(4)使用不同金属层，将减薄后的GaN外延片键合到另一衬底上，键合的压力为0-10000kg，温度为0-700℃，键合后形成GaN基片；
(5)将GaN基片在25℃-53℃丙酮和25℃-73℃乙醇溶液下分别清洗1分钟-5分钟，去离子水冲洗干净，再用氢氟酸漂洗20秒-5分钟，去离子水冲洗干净，氮气烘干；
(6)将清洗后的GaN基片放入HVPE生长系统中外延生长，得到GaN单晶。
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