[发明专利]制备硅纳米线阵列的方法

权利要求书

1.制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于由以下步骤完成：

a、在洁净的硅片上进行银镜反应；

b、然后将其放入刻蚀液中进行刻蚀，所述刻蚀液为含有HF和H₂O₂的混合水溶液；

c、刻蚀完成后的硅片进行水洗，然后除银水洗，最后真空干燥既可。

2.根据权利要求1所述的制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤a所述银镜反应为将清洗好的硅片放入加有葡萄糖溶液的饱和银氨溶液中进行银镜反应。

3.根据权利要求2所述的制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于：所述加有葡萄糖溶液的饱和银氨溶液经如下步骤配置：将硝酸银溶液中加入氢氧化钠溶液至生成白色的氢氧化银沉淀，然后逐滴加入氨水，直到沉淀消失，溶液刚好澄清为止，再加入几滴葡萄糖溶液。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤b所述刻蚀液中HF的质量百分比浓度为8-12％，H₂O₂的质量百分比浓度为0.5-0.7％。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤b所述刻蚀的温度为45-55℃。

6.根据权利要求1所述的制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于：银镜反应前，硅片要清洗干净，硅片清洗经过以下步骤：

1)无尘布搓洗，去除硅片表面沾有微粒和有机残渣；

2)处理硅片表面的不溶性污物；

3)处理硅片表面的金属杂质；

4)采用HF溶液去除硅片表面的金属氧化物。

7.根据权利要求6所述的制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤2)采用丙酮、乙醇和去离子水超声处理硅片表面的不溶性污物。

8.根据权利要求6所述的制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤3)处理硅片表面的金属杂质时将其放入含有H₂SO₄和H₂O₂溶液中，于85-95℃下加热氧化10-20min。

9.根据权利要求8所述的制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于：所述含有H₂SO₄和H₂O₂溶液是将浓H₂SO₄与双氧水以体积比为6-8∶2-4的比例混合。

10.根据权利要求1所述的制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于：步骤c所述除银为采用含H₂SO₄和H₂O₂溶液中浸泡4-6min之后再用硝酸浸泡4-6min，之后取出硅片进行水洗。