[发明专利]一种半导体薄膜光电性能的测试方法

权利要求书

1.一种半导体薄膜光电性能的测试方法，其特征在于包括以下步骤：

a、采用导电银浆料，在半导体薄膜的薄膜表面涂制两条间隔一定距离的长条形电极，经常温自然干燥与固化后形成半导体薄膜的测试样品；

b、将测试样品放置于密封的真空腔体中，测试样品的两个电极分别通过导线连接数字万用表；

c、将真空腔体掩盖避光，通过数字万用表对两个电极施加一定的直流电压，读出数字万用表显示的暗电流I_d，通过公式                                                ，计算出半导体薄膜的暗电导率，

公式中，为薄膜的电导率，I为由数字万用表读出的电流值，a为电极的间距，V为两电极间的直流电压，b为电极长度，d为半导体薄膜的厚度；

d、撤除真空腔体掩盖，用光源照射测试样品，通过数字万用表对两个电极施加一定的直流电压，读出数字万用表显示的光电流Il，通过公式，计算出半导体薄膜光照条件的光电导率；

e、光电导率与暗电导率的比值即为薄膜的光敏特性。

2.根据权利要求1所述的一种半导体薄膜材料光电性能的测试方法，其特征在于：所述电极1~2cm、宽0.3~0.5cm，两电极间距为0.8~1mm，电极厚度100~300m。

3.根据权利要求1所述的一种半导体薄膜材料光电性能的测试方法，其特征在于，步骤c、d中对两个电极施加的直流电压相同，所述直流电压为80V—100V。

4.据权利要求1所述的一种半导体薄膜材料光电性能的测试方法，其特征在于，所述光源为氙灯，光照强度为800 W/m²—1000W/m²。