[发明专利]三维集成电路结构及材料的制造方法

权利要求书

1.一种三维集成电路结构及材料的制造方法，其特征在于它是经过如下的步骤：

1)在热塑性承载材料中加入非金属光诱导催化剂醇类和/或醛类，用注塑机注塑成型为构件，质量含量5-10％；

2)用激光射线在构件的表面照射出的线路图案；

3)室温下浸入pH＝4-6的至少含一种金属离子的溶液中，浸泡5-7分钟；

4)用蒸馏水洗后放入pH＝5的含有还原剂的水溶液中浸泡5-7分钟，构件的表面生成金属核；

5)在生成金属核的区域进行化学镀铜，镀层厚度为1-12微米，再中磷化学镀镍，镀层厚度为2-3微米。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的热塑性承载材料为：ABS、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯。

3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的醇类为固态或液态的一元、二元或三元醇。

4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的醛类为固态或液态的一元、二元、三元醛。

5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的激光射线波长范围从248nm到10600nm，激光调制频率从1K到1000K，脉冲宽度从4ns到200ns，激光平均功率从0.5W到100W。

6.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的金属离子溶液中为微量元素金属钯(Pd)、银(质量含量小于0.1-2％)或1％-20％的Ni、Co、Fe、Cu或Zn中的一种或几种。

7.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的还原剂为联氨、硼氢化合物、次磷酸盐、硫代硫酸盐、联胺或氯化亚锡。

8.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的化学镀铜的镀铜液配方：pH＝12，温度60℃；无水硫酸铜12G/L；酒石酸钾钠43g/L；乙二胺四乙酸二钠14g/L；甲醛21ml/L；亚铁氰化钾36mg/L；联吡啶0.06g/L；氢氧化钠调pH值；空气搅拌；化学镀铜的速率为2-5微米/小时。

9.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的中磷化学镀镍液配方：pH＝4.8-5，温度80-86℃，硫酸镍27g/L；次磷酸钠24g/L；醋酸钠15g/L；乳酸30g/L；柠檬酸4g/L；十二烷基硫酸钠1g/L；镀镍的速率为5-13微米/小时。

10.一种三维集成电路结构及材料的制造方法，其特征在于它是经过如下的步骤：

1)在热塑性ABS、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸丁二醇酯为基底的承载材料中加入1，2，3-三羟基丙醇或2-甲基丙醛，用注塑机注塑成型为构件；其中，1，2，3-三羟基丙醇或2-甲基丙醛的质量含量5-10％；

2)用激光射线在构件的表面照射出的线路图案；所述的激光射线波长为1064nm，在机壳照射时间为0.01秒；所述的激光射线波长1064nm。

3)室温下浸入pH＝4-6的14％氯化镍、1％硝酸银金属离子的溶液中，浸泡5-7分钟；

4)用蒸留水洗后放入pH＝5的含有次磷酸钠25％、联氨8％的水溶液中浸泡7分钟，构件的表面生成相应金属核；

5)进行化学镀铜，镀层厚度为8-12微米，再中磷化学镀镍，镀层厚度为2-3微米；

所述的化学镀铜的镀铜液配方：pH＝12，温度60℃；无水硫酸铜12g/L；酒石酸钾钠43g/L；乙二胺四乙酸二钠14g/L；甲醛21ml/L；亚铁氰化钾36mg/L；联吡啶0.06g/L；氢氧化钠调pH值；空气搅拌，化学镀铜的速率为2-5微米/小时；

所述的磷化学镀镍液配方：pH＝4.8-5，温度80-86℃，硫酸镍27g/L；次磷酸钠24g/L；醋酸钠15g/L；乳酸30g/L；柠檬酸4g/L；十二烷基硫酸钠1g/L，镀镍的速率为5-13微米/小时。