[发明专利]小直径射频驱动氘氘中子管有效
| 申请号： | 201210016397.4 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102548181A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李庚 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨市源盛达电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H05H3/06 | 分类号： | H05H3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150006 黑龙江省哈尔滨市*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直径 射频 驱动 中子 | ||
【权利要求书】：
1.一种小直径射频驱动氘氘中子管，包括：三个外引接线柱一、等离子体发生器、储存器、门电极、加速电极、靶、阴极、外壳、绝缘层和两个外引接线柱二，其特征在于，所述的等离子体发生器、储存器和门电极均设置在外壳内的一侧，加速电极、靶和阴极均设置在外壳内的另一侧，加速电极和阴极均设置在靶内，阴极的一端与加速电极固定连接，阴极的另一端与一个外引接线柱二固定连接，靶的一端固定连接有一个外引接线柱二，储存器设置在等离子体发生器的内侧，门电极设置在等离子体发生器的外侧，等离子体发生器、储存器和门电极各与一个外引接线柱一固定连接，外壳的内壁上固结有一层绝缘层。
2.根据权利要求1所述的小直径射频驱动氘氘中子管，其特征在于，所述外壳的外径最小为22mm。
3.根据权利要求2所述的小直径射频驱动氘氘中子管，其特征在于，所述绝缘层的厚度为1.5～2.5mm。
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