[发明专利]一种测量金属钚氧化百分比的方法无效
| 申请号： | 201210016487.3 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102590251A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 程金星;刘军辉;王庆波;朱文凯;王新赤;高缨 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军第二炮兵装备研究院第六研究所 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 北京尚德技研知识产权代理事务所(普通合伙) 11378 | 代理人： | 严勇刚 |
| 地址： | 100085 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测量 金属 氧化 百分比 方法 | ||
1.一种测量金属钚氧化百分比的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
A、将纯氧化钚粉末与纯金属钚粉末混合为100克标准测试样品，加外中子源照射，进行1982.2keV特征γ射线峰位计数数值测定，得到具有确定重量百分比的氧化钚的金属钚在加外中子源照射条件下的1982.2keV特征γ射线峰位计数数值w。
B、参照步骤A，将混合不同重量百分比的氧化钚的金属钚，加步骤A中所述的外中子源照射，得到对应于所述不同百分比的1982.2keV特征γ射线峰位计数数值w，然后拟合出在加外中子源照射条件下的100克标准测试样品金属钚中，氧化钚重量百分比0-100％的1982.2keV特征γ射线峰位计数数值标准曲线。
C、取100克待测氧化程度的金属钚样品，加步骤A中所述外中子源照射，进行1982.2keV特征γ射线峰位计数数值测定，得到所述样品在加外中子源照射条件下的1982.2keV特征γ射线峰位计数数值w’。
D、将步骤C中得到的所述数值w’与步骤B中拟合出的所述标准曲线进行比较，即可得到所述100克待测氧化程度的金属钚样品中对应于所述数值w’的氧化钚重量百分比。
2.根据权利要求1所述的测量金属钚氧化百分比的方法，其特征在于，步骤B中所述100克标准测试样品中的纯氧化钚粉末与纯金属钚粉末重量比分别为1∶9、2∶8、3∶7、4∶6、4.5∶5.5、5∶5、6∶4、7∶3、7.5∶2.5、8∶2、9∶1。
3.根据权利要求1所述的测量金属钚氧化百分比的方法，其特征在于，所述外中子源为5Mev镭铍中子源。
4.根据权利要求1所述的一种测量金属钚氧化程度的方法，其特征在于，所述外中子源为5MKev锎源中子源。
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