[发明专利]带有抗反射层的图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210016669.0 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102610621A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王子睿;曾晓晖;徐伟诚;杨敦年;刘人诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 反射层 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器，包括：
形成在衬底上的吸收层，所述吸收层包括至少SiGe或Ge之一；以及
直接设置在所述吸收层上的抗反射层。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述衬底包括硅。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述衬底的厚度在约0.1μm到10μm之间。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中使用外延化学汽相沉积工艺生长所述吸收层。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中使用Ge注入工艺形成所述吸收层，其中在室温下，在真空压力室中经历从约10-8托到约10-7托的压力来实施Ge注入，工艺时间从约10分钟到180分钟。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述吸收层的厚度在约0.5nm到约500nm之间。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述吸收层的Ge浓度从约0.1％到约100％并且所述吸收层在从约500℃到约1000℃的温度下生长。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述抗反射层包括氮化硅(SiN)。
9.一种背照式图像传感器，包括：
形成在硅衬底上的层，所述层包括SiGe和Ge中的至少之一，所述层用于提高入射光吸收能力并且改进所述图像传感器的量子效率；以及
直接设置在所述层上的抗反射层。
10.一种形成图像传感器的方法，包括：
在硅衬底上形成吸收层，所述吸收层包括SiGe和Ge中的至少之一；以及
直接在所述吸收层上形成抗反射层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
