[发明专利]压电振子和弹性波器件

说明书

技术领域

本发明涉及抑制副振动的发生的压电振子和弹性波器件。

背景技术

压电振子在电子设备、测量设备或通信设备等各种领域中被利用，特别是以AT切割的厚度切变振动为主振动的水晶振子由于频率特性优秀所以被广泛使用，但不需要的副振动的发生成为问题。当不需要的振动发生时，与主振动结合而可能引起频率跳变(跳频)。副振动的发生原因之一为非谐波泛频(inharmonics overtone)(以下称作“泛频”)。该泛频(overtone)振动有时为厚度纵向振动，振幅为与作为主振动的厚度切变振动的振幅相同的等级，因此优选防止其发生，或使其振荡频率以脱离主振动的振荡频率的方式偏移。另外例如在以厚度切变振动为主振动的情况下，作为其它的副振动，也可以列举与表面切变振动等其它振动的类别的副振动。这些成为活性下降(Activitydips，放射性下降)或频率下降(Frequency dips)的发生主要原因。

在此，作为厚度切变振动的副振动的抑制方法之一，已知有通过减小电极面积来锁闭能量的方案。但是，当振频率超过20MHz时，能量锁闭效果减少，因此，在振荡频率超过50MHz的水晶振子普及化的现状下，难以通过该方案抑制副振动。

另外，也正在进行通过对水晶片的端部倒角、或将水晶片设为凸状等的形状变化来抑制副振动，但伴随电子设备的小型化，存在要求小型且振荡频率高的水晶振子的趋势，因此，这种形状变化带来的副振动的抑制有限。另外，也已知有通过在水晶片的发生副振动的位置施加粘接剂等负荷，机械性地抑制副振动的发生的方案，但由于从粘接剂产生气体、或对水晶片施加应力，从而可能不能够确保频率的长期稳定性。

另外，专利文献1中记载有在压电板的主面设置凹陷的结构，专利文献2中记载有在电极耳(tab)部设置孔，并且在水晶坯设置凹陷(pocket)的结构。进而，专利文献3中记载有在激励电极上形成开口部的结构，专利文献4中记载有在水晶片中为抑制副振动而形成凹部的结构。但是，即使使用这些技术，也不能使泛频振动的振荡频率移动至对主振动不造成影响的范围，不能实现本发明的课题的解决。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭60-58709号公报(第4图)

专利文献2：日本特开平1-265712号公报(图1、图3)

专利文献3：日本特开2001-257560号公报(段落0007、图1)

专利文献4：日本特开平6-338755号公报(段落0012、0014)

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种能够在压电振子或弹性波器件中抑制副振动的发生或可以使副振动的频率偏移的技术。

因此，本发明提供一种压电振子，其特征在于，具备：

板状的压电体；

设于该压电体的两面的激励电极；和

副振动抑制部，其包括用于抑制以与上述压电体的主振动不同的频率振荡的副振动而形成于上述激励电极的孔部和形成于与上述压电体的上述孔部相对应的区域的凹部或贯通孔。

发明的另一个方面提供一种压电振子，其特征在于，具备：

板状的压电体；

设置于该压电体的两面的激励电极；和

副振动抑制部，其包括用于抑制以与上述压电体的主振动不同的频率振荡的副振动而设置于与压电体的上述激励电极分离的部位的凸部。

另外，发明的另外一个方面提供一种弹性波器件，其在板状的压电体的表面设有IDT电极，其特征在于，具备：

副振动抑制部，其包括用于抑制与从输出端口取出的目标频带不同的频率的弹性波而形成于上述IDT电极的孔部和形成于与上述压电体中的上述孔部相对应的区域的凹部或贯通孔。

另外，发明的另外一个方面提供一种弹性波器件，其在板状的压电体的表面设有IDT电极，其特征在于，具备：

副振动抑制部，其包括用于抑制与从输出端口取出的目标频带不同的频率的弹性波而设于压电体的从上述IDT电极分离的部位的凸部。

发明的效果

在本发明中，在压电振子的发生副振动的区域中从激励电极到压电体形成有孔部(凹部或贯通孔)。另外，在发明的其它方面中，在压电振子中发生副振动的区域中在从激励电极分离的压电体的部位形成有凸部。由此，副振动的发生被抑制。具体而言，能够减小副振动的能量或能够使副振动的频率以远离主振动的频率的方式偏移。因此，能够抑制压电振子的频率跳变的发生。