[发明专利]半导体装置及其制造方法及制造装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2011年1月21日提交的日本专利申请No.2011-010875和2010年7月22日提交的日本专利申请No.2011-160586并要求优先权，全部内容通过引用结合于此。

技术领域

实施例涉及半导体装置及其制造方法及制造装置。

背景技术

近年，为了从形成有元件的半导体晶片获得各个半导体芯片，使用称为先划片工艺的技术。

该先划片工艺中，首先，在半导体晶片的表面(元件形成面)形成切断沟(半切划片)。接着，在形成切断沟的半导体晶片的表面贴附保护带后，研削半导体晶片的背面直到切断沟部分。从而，半导体晶片的厚度变薄，并且半导体晶片被分割为各个半导体芯片(单片化)。接着，在分割的半导体晶片的背面贴附粘接膜(die attachment film，小片附着膜)，形成粘接剂层，剥离表面(元件形成面)的保护带。接着，从半导体晶片的表面侧，沿分割沟由金刚石刀片和/或激光等切断粘接剂层。从而，获得带粘接剂层的半导体芯片。该带粘接剂层的半导体芯片然后用称为夹头(collet)的吸附工具拾取，层叠粘接到基板和/或其他半导体芯片。

但是，这样的方法中，保护带剥离后的半导体芯片的排列性不良，因此粘接膜切断时，元件的配线部分的一部分被切断，由切断屑产生表面污染，或，由于切断时的负载和/或热溶接，在切断后拾取半导体芯片时发生芯片破裂。

发明内容

本发明的课题是提供在不造成半导体元件的污染、芯片破裂、配线切断等的恶劣影响的情况下切断半导体晶片，提高品质并提高制造成品率的半导体装置的制造方法及制造装置以及高品质的半导体装置。

一个实施例公开了半导体装置的制造方法。该方法包含：(a)在形成有半导体元件的半导体晶片的元件形成面形成切断沟的步骤；(b)在上述半导体晶片的元件形成面贴附保护带的步骤；(c)研削上述半导体晶片的背面，使上述半导体晶片薄化，并将上述半导体晶片分割为形成有半导体元件的多个半导体芯片的步骤；(d)在上述半导体晶片的背面形成粘接剂层的步骤；(e)将上述粘接剂层按每个上述半导体芯片分离切断的步骤；以及(f)剥离上述保护带的步骤。上述步骤(e)通过加热在上述半导体晶片的背面形成的上述粘接剂层使其熔融或软化并向上述粘接剂层吹出高压空气而进行。

另一实施例公开了半导体制造装置。该装置具备：加热单元，其对分割为多个半导体芯片且在其背面整面形成有粘接剂层的一体化的半导体晶片的上述粘接剂层加热；以及高压空气发生装置，其具备向上述粘接剂层吹出高压空气的喷嘴。

附图说明

图1A～图1H是表示一个实施例的半导体装置的制造工序的概略立体图。

图2A～图2D是更详细表示图1E及图1F所示工序的截面图。

图3是图2D所示工序的变形例的截面图。

图4是在加热载物台上进行图1F的工序时的效果的曲线图。

图5是用金属显微镜拍摄适用实施例切断的粘接剂层的截面的照片的示图。

图6是图1E所示工序的变形例的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图，说明实施例。

本实施例中，首先，在包括硅等的半导体晶片1′的表面(元件形成面)形成半导体元件后，将形成了该半导体元件的半导体晶片1′固定在保持台21上，从半导体晶片1′的元件形成面侧沿划片线(或芯片分割线)，用金刚石刀片(diamond blade)22形成未达到背面的深度的切断沟31。即，进行半切划片(图1A)。切断沟32的形成不限于金刚石刀片22，也可以采用金刚石划线器、激光等进行。另外，也可以采用反应性气体蚀刻、反应性离子蚀刻(RIE)等的方法。

接着，在半导体晶片1′的元件形成面，贴附保护带32，形成表面保护层(图1B)。保护带32，例如，使用在包括聚氯乙烯树脂(PVC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(PET)、聚烯烃树脂(PO)等的热可塑性树脂的带基体材料上设置有粘接剂层的粘接带等。也可以取代保护带32，使用在包括玻璃等的基体材料上设置有粘接剂层的物质。粘接剂也可以是光固化型粘接剂。保护带32为了在后面的工序剥离而使用粘接剂为光固化型粘接剂的粘接性带时，在剥离前通过光照射可以容易地剥离。图1B中，符号23表示将保护带32紧密按压到半导体晶片1′的元件形成面的按压部件。