[发明专利]晶棒表面纳米化工艺、晶圆制造方法及其晶圆

说明书

技术领域

本发明是有关于一种表面纳米化工艺，尤其涉及一种晶棒表面纳米化工艺及其晶圆制造方法与所制作的芯片。

背景技术

日常生活中所使用的信息产品、信息家电等，例如手机、计算机的主机板、微处理器、内存、数字相机、PDA等电子产品，均具有由IC半导体所组成的运算单元，而所谓的IC就是利用晶圆经过各种半导体工艺所制作的具有特定电性功能的电路组件。

半导体加工工艺可包含最初的长晶、进而至切片、研磨、抛光、清洗等相关步骤，其中在晶棒切割形成晶圆的过程，就直接决定出所生产的晶圆的数量，其又直接影响到半导体后段工艺所产出的芯片数量，故提升晶棒切割的质量可连带增加半导体产业的经济效应。

一般硅晶圆工艺中需先针对晶棒进行机械加工，例如外圆轮磨后再进行切片。然而，前述的机械加工对于脆性较高的晶棒，可能导致较高的不良率，其主要原因在于高脆性的晶棒，切片时刀具造成的应力容易造成晶棒表面的脆裂，并在晶圆边缘产生微小的裂痕，而使得后续的晶圆工艺中易发生破片现象，严重影响晶圆工艺的良率。

再者，切片所得的晶圆在各种加工工艺中可能会受到外力的作用，当外力超出晶圆的最大负载或是应力过度集中时就会造成晶圆裂痕、晶圆破片的问题，导致生产工艺的良率下降。

发明内容

本发明的目的之一，在于提供一种晶棒表面纳米化工艺及其晶圆制造方法，以在晶棒进行切片之前针对晶棒表面进行改质，以在晶棒表面制作出具有纳米结构的微结构层，所述的具有纳米结构的微结构层可强化晶棒表面强度，以降低切片的碎边率。

为了解决上述问题，本发明提供一种晶棒表面纳米化工艺，是在晶棒进行切片步骤之前，先针对晶棒的至少一表面进行一表面处理步骤，以在所述表面形成一具有纳米结构的微结构层。

本发明进一步提供一种晶圆制造方法，包括以下步骤：形成一晶棒，所述晶棒是由一初始晶棒所加工形成，所述晶棒具有一黏着面；进行一表面处理步骤，以在所述黏着面形成一具有纳米结构的微结构层；提供一载具，并形成一连接层于所述黏着面的微结构层上，以利用所述连接层将所述晶棒固定在所述载具上；进行一切片步骤。请注意，本发明实施例所指的“晶棒”、“初始晶棒”乃为泛指的名词，实际上针对不同结晶态样或各阶段的加工工艺后，产业界会以特定的名称加以命名，然本发明可含括各种不同名称的”晶棒”、“初始晶棒”。

本发进一步提供一种晶圆制造方法，包括以下步骤：形成一晶棒，所述晶棒是由一初始晶棒所加工形成；进行一表面处理步骤，以在所述晶棒的表面上形成一具有纳米结构的微结构层；提供一载具，并形成一连接层于所述微结构层上，以利用所述连接层将所述晶棒固定在所述载具上；进行一切片步骤。

本发明进一步提供一种晶圆，其是由一晶棒经过切割所形成，所述晶圆具有至少一个由相邻两切割道所界定的侧面，所述侧面上形成一具有纳米结构的微结构层。

本发明具有以下有益的效果：本发明主要利用表面处理方法将晶棒的至少一表面进行表面改质，以在晶棒表面生成浅层的纳米结构层，所述纳米结构层并不会影响晶棒表面的特性；另外，所述纳米结构层可释放切片时刀具造成的应力，故可有效强化晶棒表面的机械强度，以降低切片时晶棒边角的崩角问题。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1是本发明的晶棒表面纳米化工艺的流程图。

图2是本发明的晶圆制造方法的流程图。

图3A-3C是本发明的多晶棒的工艺示意图。

图4A-4D是本发明的单晶棒的工艺示意图。

图5是本发明的多晶棒（即晶棒）通过连接层固定在载具上的示意图。

图6是本发明的圆棒（即另一态样的晶棒）通过连接层固定在载具上的示意图。

图7A是本发明第一实施例的晶圆的示意图，其中微结构层形成在单一个侧面上。

图7B是本发明第一实施例的晶圆的示意图，其中微结构层形成在多个侧面上。

图8A是本发明第二实施例的晶圆的示意图，其中微结构层形成在一部分的侧面上。

图8B是本发明第二实施例的晶圆的示意图，其中微结构层形成在全部的侧面上。

主要组件符号说明

10A　 　晶锭

10B　 　块状晶棒

10C　 　多晶棒

20A　 　粗棒

20B　 　单棒