[发明专利]半导体光源模块无效

专利信息
申请号: 201210017514.9 申请日: 2012-01-19
公开(公告)号: CN102544324A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 黄彦良;彭胜扬;蔡宗岳;赖逸少 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 光源 模块
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种光源模块,且特别是有关于一种半导体光源模块。

背景技术

随着半导体技术的发展,各种半导体光源不断推陈出新。举例来说,发光二极管通过电子与空穴在其内结合而产生电致发光效应。发光二极管的光线的波长与其所采用的半导体材料种类与掺杂物有关。发光二极管具有效率高、寿命长、不易破损、开关速度高、高可靠性等优点,使得发光二极管已经广泛应用于各式电子产品。

半导体光源为一颗颗的晶粒,为了避免半导体光源受潮或者受到微粒子的污染,半导体光源将通过封装工艺制作成一颗颗的封装结构。在封装结构的设计中,研究人员不断研究各式新的技术来提高光线利用率、增加可靠度、增进工艺效率及缩小尺寸。

发明内容

本发明有关于一种半导体光源模块,其利用封胶材料层与基板的贯穿孔的设计,以增进半导体光源模块的可靠度并缩小半导体光源模块的尺寸。

根据本发明的一方面,提出一种半导体光源模块。半导体光源模块包括一基板、一发光二极管及一反射结构。基板具有一第一表面、一第二表面及至少一贯穿孔。贯穿孔贯穿第一表面及第二表面。发光二极管设置于第一表面上。反射结构设置于基板上,并位于发光二极管的周围。反射结构包括一封胶材料层(molding compound)及一反射层。封胶材料层覆盖部份的基板并填入贯穿孔。封胶材料层具有一倾斜侧壁。倾斜侧壁位于发光二极管的外围。反射层至少设置于倾斜侧壁上。

根据本发明的另一方面,提出一种半导体光源模块。半导体光源模块包括一基板、一发光二极管及一封胶材料。基板具有一第一表面、一第二表面及至少一贯穿孔。贯穿孔贯穿第一表面及第二表面。发光二极管设置于第一表面上。封胶材料层覆盖发光二极管及部份的基板并填入贯穿孔。

为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图,作详细说明如下:

附图说明

图1绘示半导体光源模块的示意图。

图2绘示另一半导体光源模块的示意图。

图3绘示另一半导体光源模块的示意图。

图4绘示另一半导体光源模块的示意图。

图5绘示另一半导体光源模块的示意图。

图6绘示另一半导体光源模块的示意图。

图7绘示另一半导体光源模块的示意图。

主要元件符号说明:

100、200、300、400、500、600、700:半导体光源模块

110、210、310:基板

110a、210a、310a、410a、510a、610a:第一表面

110b、210b、310b、410b、510b、610b:第二表面

110c、210c、310c、410c、510c、610c、710c:贯穿孔

120、320:发光二极管

130:导线结构

140:反射结构

141、241、341、441:封胶材料层

141a:倾斜侧壁

142、242:反射层

B7:凸部

C7:凹部

D1:间隙

M1、M6:中间处

W1、W2、W4、W5、W6:宽度

具体实施方式

以下提出实施例进行详细说明,实施例仅用以作为范例说明,并不会限缩本发明欲保护的范围。此外,实施例中的图式省略不必要的元件,以清楚显示本发明的技术特点。

请参照图1,其绘示半导体光源模块100的示意图。半导体光源模块100包括一基板110、一发光二极管120、一导线结构130及一反射结构140。基板110用以承载发光二极管120,例如是一硅基板、一氮化铝(ALN)基板、一陶瓷基板或一导线架(lead frame)。发光二极管120设置于基板110上,用以发出光线,其材质例如是铝砷化镓(AlGaAs)、铝磷化镓(AlGaP)、磷化铟镓铝(AlGaInP)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN)、铟氮化镓(InGaN)或铝氮化镓(AlGaN)。反射结构140设置于发光二极管120的周围,用以反射发光二极管120的光线。在本实施例中,反射结构140主要由封胶材料所组成。

基板110具有一第一表面110a、一第二表面110b及至少一贯穿孔110c。贯穿孔110c贯穿第一表面110a及第二表面110b。图1的剖面至少显示出两个贯穿孔110c。在一实施例中,基板110可以具有两个以上的贯穿孔110c。

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