[发明专利]一种CTS2电荷泵无效
申请号: | 201210017759.1 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN103219882A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 刘明;刘阿鑫;谢常青;吕杭炳;张君宇;陈映平;潘立阳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cts2 电荷 | ||
技术领域
本发明涉及电子行业电源技术领域,尤其涉及一种第二代电荷传输开关(Charge Transfer Switch 2,简称CTS2)电荷泵。
背景技术
对于许多非挥发存储器,其读写操作需要高电压(也可能是负高电压),所以电荷泵广泛应用于存储器中,用来提供高于外部电源电压的高电压或者负电压。同时,随着电路设计复杂性的增加,各种混合电路应运而生,单纯依靠外部电源提供的电压远远不能满足要求,电荷泵的特性决定它能够解决这个问题,特别是随着电源电压的下降,电荷泵应用越来越广泛。
图1为现有技术迪克森(Dickson)电荷泵的结构示意图。图中所有的MOS管(MD1~MDn+1)均是NMOS管,且是以二极管形式连接在一起。其中,MD1的栅端和源端连接至电源电压VDD,其漏端连接至MD2的源端和栅端;MD2的漏端再连接至MD3的栅端和源端,依次类推,MDn的栅端和源端连接至MDn-1的漏端,MDn的漏端连接至MDn+1的源端和栅端,MDn+1的漏端接负载电阻RL和负载电容Cout,MD1和MD2之间的连接处为节点1,MD2和MD3之间的连接处为节点2,依次类推,MDn和MDn+1之间的连接处为节点n,节点m(1~n)通过电容Cp(泵浦电容,取相同值Cp)连接至两相非重叠时钟CLK和CLKB,其中奇数节点(1,3,5...)连接至同一路时钟CLK,偶数节点(2,4,6...)连接至另一路时钟CLKB。每个节点到低之间都有一个寄生电容,值为Cs。
对于如图1所示的Dickson电荷泵,其中Cp代表泵浦电容,为相同值,以Cpump表示,Cs为寄生电容,Cload为负载电容。相邻两级之间的电压差表达式如下:
ΔV=Vn+1-Vn=VΦ′-VT,
其中,VΦ′代表每次时钟信号高电平到来时,各点之间的电压幅值的增加值,表达式如下:
由于负载电流的存在,所以每级电荷泵仍然存在一个电压降,该电压降与负载的关系如下所示:
Iout=f*(Cpump+CS)*VL,从而可知,
由以上表达式可知,输出电压表达式如下
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