[发明专利]晶硅太阳能电池及晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，用于去除经扩散工序后在硅片边缘形成的扩散层，其特征在于，包括如下步骤：

1)生成耐碱薄膜层于所述硅片的上表面和下表面，得到具有耐碱薄膜层的硅片；

2)使用第一预设浓度的碱性溶液以第一预设温度清洗具有耐碱薄膜层的硅片第一预设时间，得到碱洗后的硅片；

3)将碱洗后的硅片置于第二预设浓度的酸性溶液中以第二预设温度酸洗第二预设时间，得到酸洗后的硅片；

4)使用第三预设温度的去离子水清洗酸洗后的硅片第三预设时间，得到清洗后的硅片；

5)对清洗后的硅片进行去离子水提拉清洗，并烘干，得到去除边缘扩散层的硅片。

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，其特征在于，所述耐碱薄膜层为SiN_X薄膜层或SiO₂薄膜层或Al₂O₃薄膜层。

3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，其特征在于，所述碱性溶液为KOH溶液，或NaOH溶液，或KOH和NaOH的混合溶液。

4.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，其特征在于，所述第一预设浓度为10～45％wt。

5.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，其特征在于，所述第一预设温度为50～95℃。

6.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，其特征在于，所述第一预设时间为5～10min。

7.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，其特征在于，所述第二预设浓度为3～50％wt。

8.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，其特征在于，所述第二预设温度为20～80℃。

9.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，其特征在于，所述第二预设时间为5～10min。

10.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，其特征在于，所述第三预设温度为30～90℃。

11.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，其特征在于，所述第三预设时间为5～10min。

12.一种晶硅太阳能电池，通过对硅片进行制绒工艺、扩散工艺、玻璃去除工艺和边缘刻蚀工艺等方法制备，其特征在于，所述边缘刻蚀工艺为如权利要求1-11任意一项所述的晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法。