[发明专利]工作台及使用该工作台的曝光装置

说明书

技术领域

本发明涉及保持要进行曝光等加工处理的基板的工作台及使用该工作台的曝光装置，尤其涉及可吸附保持产生翘曲的晶圆等基板(工件)的工作台及使用该工作台的曝光装置。

背景技术

在制造半导体、印刷基板、液晶基板等(以下也称为工件)的工序中，进行曝光等的加工处理时，为了使工件不造成偏位而使用吸附保持工件的工作台。

图6表示具备如上述的工作台的曝光装置的概略结构。

曝光装置10由射出紫外线的光照射部1、形成有图案的掩模M、保持该掩模M的掩模台2、保持涂布了抗蚀剂的晶圆或印刷基板等工件W的工作台4、以及在保持在工作台4上的工件W上投影掩模M的图案像的投影透镜3等构成。

此外，曝光装置中，也有不具备投影透镜的曝光装置。

光照射部1具备：放射出含紫外线的光的灯1a、以及反射来自灯1a的光的镜子1b等。

工作台4的表面形成有真空吸附槽4a，并设有与该真空吸附槽连通的多个真空吸附孔4b。工作台4与配管11连接，在保持工件W时，从该配管11经由真空吸附孔4b对真空吸附槽4a赋予真空，此外在将工件W从工作台4卸下时，从该配管11经由真空吸附孔4b向真空吸附槽4a供给空气。

简单说明曝光装置的动作。

(i)通过未图示的输送机构，将印刷基板等的工件W放置在曝光装置10的工作台4上。在工件W的表面(形成有图案的一侧)涂布了抗蚀剂。经由工作台4的真空吸附孔4b对真空吸附槽4a赋予真空，工件W被吸附保持在工作台4上。

(ii)对工作台4的真空的赋予在曝光处理中持续着，以避免工件W移动。

(iii)若曝光处理结束，则切换阀12，停止对真空吸附孔4b(真空吸附槽4a)的真空的赋予而解除工件W的吸附保持，向真空吸附孔4b供给空气。由此，从真空吸附槽4a喷出空气，工件W被从工作台4脱离，通过未图示的输送机构输送到曝光装置10外。

接着，对工作台的部分的详细构造与动作说明。

图7、图8为工作台的部分的剖视图，表示从工件的输送机构接受工件并真空吸附保持为止的动作的图。

如该图所示，工作台4形成有用于从工件输送机构20接受工件W的销5a出入用的贯穿孔4c。销5a为多个(3个以上)，贯穿孔4c被设置销的数量的量。

在工作台4的背面侧设有销上下驱动机构(例如汽缸)5，通过该销上下驱动机构5，多个销5a经由贯穿孔4c同步地上下移动。

在销5a上升了时，销5a的前端位于比工作台4的表面更靠上，在下降了时，销5a的前端位于比工作台4的表面更靠下。

利用图7、图8说明工作台的动作。

如图7(a)所示，工件W被保持在工件输送机构120的臂121上而输送到工作台4上。

如图7(b)所示，销5a通过销上下驱动机构5上升，销5a从臂21接受工件W。

如图8(c)所示，工件输送机构20的臂21退避到图面右方，销5a通过销上下驱动机构5下降。工件W置于工作台4。真空吸附孔4b被赋予真空，工件W被吸附保持在工作台4上。

再者，作为使用多个销进行输送臂与工作台间的晶圆的交接的以往例，例如有专利文献1。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭63-141342号公报

发明概要

发明要解决的课题

最近，作为工件，逐渐使用粘贴膨胀率不同的2张基板而成的工件(例如在玻璃基板上粘贴硅晶圆的工件)、或形成了膨胀率与基板不同的层的工件(例如在蓝宝石基板上形成了氮化镓层的工件)等。在这样的工件的情况下，若在前工序中反复进行加热冷却，则会因上下材质的热膨胀率不同而产生翘曲或变形。

例如，LED的制造中，使用在圆型的蓝宝石基板上形成了氮化镓层的工件。在这样的工件的情况下，因前工序中的加热冷却处理的反复进行，基板朝向膨胀系数大的材质侧翘曲。

例如，在500μm左右的蓝宝石基板上形成了氮化镓层的工件的情况下，以大约800℃使氮化镓的结晶层成长于蓝宝石基板上。此时工件平坦，但随着冷却，膨胀系数大的蓝宝石基板比氮化镓的结晶层更大地收缩，因此工件朝向蓝宝石基板侧翘曲(蓝宝石基板侧成为凹面侧)。在工件的直径为左右的情况下，会产生大约200μm～250μm左右的翘曲。