[发明专利]高频开关

说明书

技术领域

本发明涉及高频开关。 

背景技术

最近，正在急速进行便携式电话机等无线通信设备的小型化。作为实现无线通信设备的小型化的方法，例如有降低无线通信设备的消耗功率，将装载于无线通信设备的电池进一步小型化的方法。无线通信设备内部具有多个半导体集成电路，电池供给的功率的一部分由这些半导体集成电路消耗。在这些半导体集成电路中有在天线与发送/接收电路之间切换高频信号传输路径的高频半导体开关(下面称为高频开关)。高频开关的消耗功率虽然不大，但是高频开关中的插入损耗直接影响发送电路的发送功率放大器中的消耗功率。 

作为高频开关，公开有例如下面专利文献1中的高频开关。在专利文献1的高频开关中，由形成在绝缘衬底上的硅(SOI：Silicon On Insulator)基板上的金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)构成高频开关，从而降低高频开关中的消耗功率。 

专利文献1：日本专利公开公报特开2009-194891号 

但是，上述专利文献1公开的高频开关中没有充分考虑混合有时分双工通信系统和频分复用通信系统的多模式系统中的插入损耗特性。 

发明内容

本发明的目的在于改善多模式系统中形成在SOI基板上的高频开关的插入损耗特性。 

本发明的上述目的通过以下方案来实现。 

本发明的高频开关包括至少一个第一端口、至少一个第二端口、共用端口、第一串联开关以及第二串联开关。第一端口连接于时分双工通信系统，用于输入或输出高频信号。第二端口连接于频分双工系统，用于输入或输出高频信号。共用端口用于发送或接收通过第一端口或第二端口输入或输出的高频信号。第一串联开关具有至少一个第一场效应晶体管，根据施加到连接于第一场效应晶体管的栅极的第一栅极电阻的电压，导通或截止第一端口与共用端口之间的连接。第二串联开关具有至少一个第二场效应晶体管，根据施加到连接于第二场效应晶体管的栅极且电阻值大于第一栅极电阻的第二栅极电阻带来的电压，导通或截止第二端口与共用端口之间的连接。 

根据本发明的高频开关，能够维持连接于时分双工通信系统的开关的良好的切换速度特性，同时能够改善连接于频分复用通信系统的开关的插入损耗特性。结果，能够降低多模式系统中的发送电路的发送功率放大器的消耗功率。 

附图说明

图1是根据本发明第一实施方式的高频开关电路图。 

图2是根据本发明的第二实施方式的高频开关电路图。 

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的高频开关的实施方式进行说明。本发明的高频开关广泛适用于通用移动通信系统(UMTS：Universal Mobile Telecommunications System)、移动通信全球系统(GSM：Global System for Mobile Communications)等无线通信系统的高频开关。 

(第一实施方式) 

图1是根据本发明第一实施方式的高频开关电路图。根据本实施方式的高频开关，将连接于频分复用系统(下面称为FDD系统)的开关的栅极电阻的电阻值设定为大于连接于时分复用系统(下面称为TDD系统)的开关的栅极电阻的电阻值。 

如图1所示，本实施方式的高频开关100包括TDD端口10、TDD端口11、FDD端口20、FDD端口21、共用端口30、TDD侧串联开关40、TDD侧串联开关41、FDD侧串联开关50、FDD侧串联开关51。 

TDD端口10、TDD端口11为第一端口，是用于输入来自TDD系统的高频信号或者用于向TDD系统输出来自天线的高频信号的端口。TDD端口10、TDD端口11分别连接于TDD侧串联开关40、TDD侧串联开关41的一侧信号端子上。 

FDD端口20、FDD端口21为第二端口，是用于输入来自FDD系统的高频信号或者向FDD系统输出来自天线的高频信号的端口。FDD端口20、FDD端口21分别连接于FDD侧串联开关50、FDD侧串联开关51的一侧信号端子上。 

共用端口30是用于发送或接收高频信号的端口。共用端口30连接于TDD侧串联开关40、TDD侧串联开关41的另一侧信号端子和FDD侧串联开关50、FDD侧串联开关51的另一侧信号端子上。