[发明专利]具有环保加工的晶圆制造工艺有效
申请号: | 201210018450.4 | 申请日: | 2012-01-20 |
公开(公告)号: | CN103219224A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 陈志豪 | 申请(专利权)人: | 陈志豪 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 陈践实 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 环保 加工 制造 工艺 | ||
1.一种具有环保加工的晶圆制造工艺,其特征在于,包含以下步骤:
具瑕疵的晶圆;
将该晶圆进行切割,以形成数个独立的晶片;
于所述各晶片背面进行一个预设厚度研磨;
将研磨后具完整的晶片依序放置于载体。
2.一种具有环保加工的晶圆制造工艺,其特征在于,包含以下步骤:
具瑕疵的晶圆;
将该晶圆进行预留一个底面厚度的切割,以形成数个相连的晶片;
于所述各相连的晶片背面对预留底面厚度进行厚度研磨,使所述各相连的晶片成为数个独立的晶片;
将研磨后具完整的晶片依序放置于载体。
3.一种具有环保加工的晶圆制造工艺,其特征在于,包含以下步骤:
剩余数个晶片的非完整晶圆;
将具完整的晶片依序放置于载体上;
于所述各晶片背面进行一个厚度研磨;
将研磨后具完整的晶片再依序放置于载体。
4.一种具有环保加工的晶圆制造工艺,其特征在于,包含以下步骤:
具部分晶片厚度太厚的非完整晶圆;
将具完整的晶片依序放置于载体上;
于所述各晶片背面进行一个厚度研磨;
将研磨后具完整的晶片再依序放置于载体。
5.如权利要求1或2所述的具有环保加工晶圆制造工艺,其特征在于,该晶圆于切割时,利用一个切割器于晶圆表面以横向与纵向交错方式进行切割。
6.如权利要求1、2、3或4所述的具有环保加工晶圆制造工艺,其特征在于,所述各晶片于研磨时,利用一个研磨器于所述各晶片背面进行研磨。
7.如权利要求1、2、3或4所述的具有环保加工晶圆制造工艺,其特征在于,于研磨后具完整的晶片依序放置于载体的步骤中,该载体为具有放置槽的载具,而研磨后具完整的晶片能依序放置于载具的放置槽中。
8.如权利要求1、2、3或4所述的具有环保加工晶圆制造工艺,其特征在于,于研磨后具完整的晶片依序放置于载体的步骤之前,该晶片先设于一个粘贴膜上,并用紫外线灯进行照射。
9.如权利要求1或2所述的具有环保加工晶圆制造工艺,其特征在于,该具瑕疵的晶圆为有些许破损或破片的晶圆。
10.如权利要求1或2所述的具有环保加工晶圆制造工艺,其特征在于,该具瑕疵的晶圆为完整片的晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造