[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

半导体衬底；

半导体元件，具有电极；

绝缘膜，覆盖所述半导体衬底的至少一部分；

至少一个二极管，设置在所述绝缘膜上，并且，与所述电极电连接成使其成为针对流过所述电极的电流的电阻。

2.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是具有发射电极以及源电极的任意一个、栅电极、焊盘的开关元件，

所述电极是所述发射电极、所述源电极以及所述栅电极的任意一个，

所述电极和所述焊盘通过所述二极管电连接。

3.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是具有发射电极以及源电极的任意一个和栅电极的开关元件，

所述电极是所述栅电极，

所述发射电极以及源电极的任意一个和所述电极通过所述二极管电连接。

4.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是具有第一发射电极以及第一源电极的任意一个和第二发射电极以及第二源电极的任意一个的开关元件，

所述电极是所述第一发射电极以及第一源电极的任意一个，

所述第二发射电极以及第二源电极的任意一个和所述电极通过所述二极管电连接。

5.一种半导体装置，其中，

具有：半导体衬底；半导体元件，具有电极；绝缘膜，覆盖所述半导体衬底的至少一部分；至少一个结型场效应晶体管，设置在所述绝缘膜上，并且，具有源极以及漏极；

以成为针对流过所述电极的电流的电阻的方式，将所述源极以及漏极的任意一个和所述电极电连接。

6.如权利要求5的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是具有发射电极以及源电极的任意一个、栅电极、焊盘的开关元件，

所述电极是所述发射电极、所述源电极以及所述栅电极的任意一个，

所述电极和所述焊盘通过所述结型场效应晶体管电连接。

7.如权利要求5的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是具有发射电极以及源电极的任意一个和栅电极的开关元件，

所述电极是所述栅电极，

所述发射电极以及源电极的任意一个和所述电极通过所述结型场效应晶体管电连接。

8.如权利要求5的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是具有第一发射电极以及第一源电极的任意一个和第二发射电极以及第二源电极的任意一个的开关元件，

所述电极是所述第一发射电极以及第一源电极的任意一个，

所述第二发射电极以及第二源电极的任意一个和所述电极通过所述结型场效应晶体管电连接。

9.一种半导体装置，其中，

具有：半导体衬底；半导体元件，具有电极；绝缘膜，覆盖所述半导体衬底的至少一部分；至少一个MIS型场效应晶体管，设置在所述绝缘膜上，并且，具有源极以及漏极；

以成为针对流过所述电极的电流的电阻的方式，将所述源极以及所述漏极的任意一个和所述电极电连接。

10.如权利要求9的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是具有发射电极以及源电极的任意一个和栅电极的开关元件，

所述电极是所述栅电极，

所述发射电极以及源电极的任意一个和所述电极通过所述MIS型场效应晶体管电连接。

11.如权利要求9的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是具有第一发射电极以及第一源电极的任意一个和第二发射电极以及第二源电极的任意一个的开关元件，

所述电极是所述第一发射电极以及第一源电极的任意一个，

所述第二发射电极以及第二源电极的任意一个和所述电极通过所述MIS型场效应晶体管电连接。

12.如权利要求9的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是具有发射电极以及源电极的任意一个、栅电极、焊盘的开关元件，

所述电极是所述发射电极、所述源电极以及所述栅电极的任意一个，

所述电极和所述焊盘通过所述MIS型场效应晶体管电连接。