[发明专利]一种纳米结构四氧化三钴空心亚微球的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210018999.3 申请日: 2012-01-20
公开(公告)号: CN102583581A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 聂祚仁;李群艳;王苗苗;刘育鑫;韦奇 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 结构 氧化 空心 亚微球 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于无机非金属材料领域,具体涉及一种纳米结构四氧化三钴(Co3O4)空心亚微球的制备方法。

背景技术

四氧化三钴(Co3O4)粉末外观呈灰黑色或黑色,理论钴含量为73.43%,氧含量26.57%,密度6.0~6.2g/cm3。Co3O4结晶属立方晶系,具有尖晶石结构,其中Co(II)离子四面体被氧原子包围,Co(III)离子八面体被氧原子包围,有较高的晶体场稳定化能,晶格常数α=8.11×10-10m。Co3O4不溶于水、盐酸、硝酸、王水,能缓慢溶解于热硫酸中。

Co3O4是一种具有特殊结构和性能的功能材料,在工业生产中是一种非常重要的磁性P型半导体材料。Co3O4纳米材料具有较大的比表面积,人们利用四氧化三钴纳米材料作为锂离子电池的阳极材料,在充/放电循环过程中,Co3O4纳米材料显示出较高的充电容量。另外Co3O4纳米材料对于氢气和乙醇具有很高的敏感性,所以也被用于制备气敏元件材料。Co3O4纳米材料具有许多优良的特性,在非均相催化剂、气体传感器、太阳能吸收器、磁性等方面都有潜在的应用价值。

纳米Co3O4空心亚微球作为一种新的纳米结构材料,其特有的核-壳空心结构及纳米厚度的壳层,使它具有低密度、高比表面积的特性,而且还兼具纳米材料特有的性质。目前,制备纳米Co3O4空心亚微球的方法主要有水热法或者是喷雾反应法,这些方法存在着反应条件苛刻、重复性差、空心微球形貌不可控等缺点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制备工艺简单、操作方便、形貌可控,且重复性强的纳米结构四氧化三钴空心亚微球的制备方法。

本发明所提供的纳米结构四氧化三钴空心亚微球的制备方法,包括以下步骤:

1)将二价钴的无机盐溶于蒸馏水中配成二价钴离子浓度为0.01~0.10mol/L的溶液。

2)将氢氟酸按二价钴离子与F原子的摩尔比为1∶1~9∶1进行配比,加入步骤1)配制的二价钴盐溶液中,并加入氨水调节溶液的pH值为7.40~8.10。

3)将模板加入步骤2)配制的溶液中,于50℃~80℃的水浴中搅拌反应1~4小时,离心分离后,洗涤所得沉淀,得到纳米结构核壳亚微球。

4)以步骤3)中得到的核壳亚微球为模板,重复进行步骤3)1~2次,得到多次包覆的纳米结构核壳亚微球。

5)将多次包覆的纳米结构核壳亚微球去除模板,得到纳米结构的四氧化三钴空心亚微球。

其中步骤3)和5)中所述的模板为近单分散的二氧化硅(SiO2)亚微球或近单分散的聚苯乙烯PS亚微球;步骤5)中通过将多次包覆的纳米结构核壳亚微球于350℃~700℃焙烧1~3小时,再浸入5%~20%的NaOH溶液中在30℃~50℃条件下浸泡1~4小时,去除SiO2模板,得到纳米结构四氧化三钴空心亚微球;当步骤3)采用近单分散的聚苯乙烯PS亚微球为模板时,步骤5)通过将多次包覆的纳米结构核壳亚微球于350℃~700℃焙烧1~3小时去除模板,得到纳米结构四氧化三钴空心亚微球。

本发明的机理如下:

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