[发明专利]移位寄存器

说明书

技术领域

本发明是有关于一种移位寄存器，且特别是有关于一种根据阈值温度而改变电压的移位寄存器。

背景技术

随着面板技术的发展，阵列基板行驱动技术(Gate on Panel，简称为GOP)的使用也越见普及。显示面板经常利用移位寄存器产生选通脉冲(gate pulse)来驱动像素。然而，移位寄存器内的驱动晶体管在一般操作环境下，虽然可以正常工作，但在环境温度为高温、低温的情况时，却容易发生漏电流、涟波(ripple)等问题。

请参见图1，其于不同的环境温度下，晶体管的导通电流相对应于跨压变化的示意图。需注意的是，在此附图中，电流数值的大小以对数(log)表示，因此，在纵轴上的每一个刻度，均代表电流值在一个数量级的变化。

附图中以虚线标示的曲线代表在温度为摄氏80度时，晶体管的栅-源电压压差(Vgs)与驱动晶体管的漏电流的关系。而附图中相对右侧且较粗的曲线，则代表在环境温度为摄氏25度时，漏电流与驱动晶体管的栅-源压差Vgs之间的关系变化。

此外，由图1可知，当驱动晶体管的栅-源压差Vgs＝0伏特时，驱动晶体管虽然应该处于关闭的状态，但是在实际上在源极、漏极之间却存在漏电流。

当驱动晶体管的栅-源压差Vgs＝0伏特时，若环境温度＝80度，流经驱动晶体管的漏电流为1.8e-9安培；对照于环境温度＝25度时，流经驱动晶体管的漏电流为3.3e-10安培。可以看出，环境温度的高低对于漏电流的影响很大。

当显示电路存在漏电流时，显示面板的稳定性相当容易受到影响。特别是因为移位寄存器会使用前、后级的输出信号，导致漏电流对电路操作形成递回的影响。亦即，即使驱动晶体管的栅-漏极之间的电压维持不变，但是在温度越高时，驱动晶体管的漏电流情形却更严重。

再者，当驱动晶体管操作在线性区时，导通驱动晶体管的电流公式可以表示为：

Id=12μxWL[2vgs-vth)Vds-Vds2]]]>

根据此公式可以得知，当温度变高时，电子的漂移特性(mobility)增强，此时导通电流Id会变大。在低温时，由于电子的漂移特性变小，导通电电流Id会变小。

然而，对于显示面板来说，其输出端信号out_n会传送至后端使用。因此，当驱动晶体管在低温下操作时，由于导通电流较小的关系，相对容易受到信号递回的影响，导致位于后级的移位寄存器所产生的输出电流偏弱，使得显示画面无法正常被显示。

由此可知，目前显示器所使用的移位寄存器的设计仍不理想，而可能导致画面显示时，容易受到环境温度的影响而产生异常动作。因此，如何在不同温度环境下，提供稳定操作的移位寄存器，便成为一个重要而待解决的问题。

发明内容

本发明有关于一种移位寄存器，包含：驱动晶体管，包括栅极、漏极接收时钟信号，以及源极产生输出信号；上拉单元，电连接于该栅极并接收该动作信号，当该动作信号动作时，开启该驱动晶体管；第一下拉单元，电连接于该栅极、接收该停止信号与第一低电压，当该停止信号动作时，提供该第一低电压以关闭该驱动晶体管；第二下拉单元，电连接于该漏极，其接收该停止信号与第二低电压，其中，当该驱动晶体管关闭时，该输出信号为该第二低电压；当该驱动晶体管开启时，将该时钟信号作为该输出信号，且该第一低电压小于等于该第二低电压，其中，当环境温度大于第一阈值温度时，增加该第一低电压与该第二低电压之间的差值。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1，其于不同的环境温度下，晶体管的导通电流相对应于跨压变化的示意图。

图2A，其描绘根据本发明构想的移位寄存器电路架构的示意图。