[发明专利]一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210019354.1 | 申请日: | 2012-01-20 |
公开(公告)号: | CN102530843A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 翟厚明;马斌;程正喜;张学敏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 疏松 聚酰亚胺 红外 吸收 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)、将光敏型聚酰亚胺树脂与直径为3-4微米的铝粉末搅拌混合,使铝粉末颗粒均匀分布于树脂中,形成树脂混合物,两者的质量混合比例为1:2;
2)、在匀胶机上采用旋涂的方式使树脂混合物均匀涂布于硅基底表面,控制匀胶机旋转盘转速使树脂混合物厚度约5微米;涂布了树脂混合物的硅基底在热板上进行前烘,烘烤温度为120℃,烘烤时间为3分钟;
3)、对涂布了树脂混合物的硅基底曝光,在非致冷探测器像元表面光刻出与像元同样大小的图形;对树脂混合物在正胶显影液中显影后,去除非像元处的树脂混合物,使其图形化;
4)、将涂布有聚酰亚胺树脂的硅基底置于150℃烘箱中烘烤2小时,使聚酰亚胺树脂亚胺化,形成聚酰亚胺薄膜;
5)、用氧等离子体去胶机对硅基底进行刻蚀,将聚酰亚胺薄膜厚底减薄到2微米,使被聚酰亚胺包覆的铝粉末颗粒全部或部分露出;
6)、在室温下将硅基底浸泡于浓度为10%的四甲基氢氧化铵溶液中,湿法腐蚀铝粉末颗粒,直至铝粉末颗粒被完全腐蚀去除,用去离子水冲洗硅基底,将10%四甲基氢氧化铵残余溶液冲洗干净,将硅基底置于60℃烘箱中烘烤2小时,去除吸附的水份。
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