[发明专利]升压LED驱动电源的可恢复型保护电路及设计方法

权利要求书

1.一种升压LED驱动电源的可恢复型保护电路，它由采样控制模块和延时开关模块组成，其特征在于：

所述的采样控制模块由电阻R2、电阻R3、电阻R4、P沟道场效应管Q2和N沟道场效应管Q3组成，电阻R2的一端与升压LED驱动电源输出电压正端相连；电阻R2、电阻R3、电阻R4串联连接，电阻R2的另一端与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端与电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端与升压LED驱动电源的地端相连；场效应管Q2的栅极与电阻R3与电阻R4的相连端相连，场效应管Q2的漏极与场效应管Q3的漏极相连；场效应管Q3的栅极与电阻R3与电阻R2的相连端相连，场效应管Q3的源极和电阻R4与升压LED驱动电源的地端相连的一端相连；

所述延时开关模块由电阻R1、电容C1和P沟道场效应管Q1组成：电阻R1的一端与采样控制模块中的场效应管Q2的源极和场效应管Q1的栅极相连；电容C1的正极与场效应管Q1的栅极相连，电容C1的负极与场效应管Q3的源极相连；场效应管Q1串联接入升压LED驱动电源电源的输入电压与输入端之间，场效应管Q1的源极与升压LED驱动电源的输入电压相连，场效应管Q1的漏极与升压LED驱动电源的输入端相连。

2.一种如权利要求1所述电路的设计方法，其特征在于包括以下步骤：

1)场效应管Q1选择导通电阻小，饱和漏极电流大于LED驱动电源最大输入电流的P沟道型场效应管；场效应管Q2选择导通电阻小，击穿电压大于最大输出电压的P沟道型场效应管；场效应管Q3应选择导通电阻小，击穿电压大于最大输出电压的N沟道型场效应管；

2)电阻R2、R3和R4的阻值选择应满足：

r4r2+r3+r4·Vo<Vin-Vthp1-Vthp2---(1)]]>

r3+r4r2+r3+r4·Vo>Vthn]]>

V_thp1+V_thp2＜V_in    (2)

r3+r4r2+r3+r4·Vin<Vthn---(3)]]>

r4r2+r3+r4·Vmax>Vin-Vthp1-Vthp2---(4)]]>

式中：V_in为LED驱动电源的输入电压值，V_o为LED驱动电源电路工作正常时的输出电压值，V_max为设定的输出电压的最大值，V_thp1为场效应管Q1导通时栅源极电压的的开启电压绝对值，V_thp2为场效应管Q2导通时栅源极电压的的开启电压绝对值，V_thn为场效应管Q3导通时栅源极的开启电压绝对值，r₂表示电阻R2的阻值，r₃表示电阻R3的阻值，r₄表示电阻R4的阻值；

3)电容C1的电容值c₁、电阻R1的阻值r₁的选择，应保证延时开关模块的充电时间大于电源的启动时间与电源输出建立时间之和。